[发明专利]一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110224441.6 | 申请日： | 2011-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102280484A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其中；还包括一P+区域和一N+区域，所述P+区域和所述N+区域分别设置在所述源电极的源区上。本发明各电极保护效果好，具有过压保护，栅区不容易损坏，结构和制造工艺均较简单，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 晶体管 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；还包括一P+区域和一N+区域，所述P+区域和所述N+区域分别设置在所述源电极的源区上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市稳先微电子有限公司，未经深圳市稳先微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110224441.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防止误踩油门的装置
- 下一篇：具有改进排气系统的气囊
- 同类专利
- 专利分类
