[发明专利]一种带有聚焦栅极的碳纳米管场发射阵列有效
| 申请号： | 201110224200.1 | 申请日： | 2011-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102290304A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张研;李驰;戴迪尔·普里巴特 | 申请（专利权）人： | 张研;李驰 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/48;H01J9/02;H01J9/14 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210096 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种带有聚焦栅极的碳纳米管场发射阵列，包括基板、位于基板上的栅极底电极，绝缘层薄膜、作为阴极的网格状碳纳米管阵列，作为栅极的点状碳纳米管阵列，网格状碳纳米管阵列阴极的底电极在绝缘层薄膜上；绝缘层薄膜位于阴极的底电极和栅极底电极之间，点状碳纳米管位于网格状碳纳米管阵列网格状孔的中心位置，点状碳纳米管与栅极底电极电学相连。本方案给碳纳米管阵列中每一个碳纳米管单元都设置一个聚焦电极，得到发射电子束束径小的场发射阴极。适用于对电子束束径要求较高的场发射器件，例如，X射线源、微波放大器、场发射扫描电子显微镜等中的电子源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 聚焦 栅极 纳米 发射 阵列 | ||
【主权项】：
一种带有聚焦栅极的碳纳米管场发射阵列，其特征是包括基板、位于基板上的栅极底电极，绝缘层薄膜、作为阴极的网格状碳纳米管阵列，作为栅极的点状碳纳米管阵列，网格状碳纳米管阵列阴极的底电极在绝缘层薄膜上；绝缘层薄膜位于阴极的底电极和栅极底电极之间，点状碳纳米管位于网格状碳纳米管阵列网格状孔的中心位置，点状碳纳米管与栅极底电极电学相连。
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