[发明专利]使用低电压优化的离子室检测高能量辐射的方法有效
| 申请号： | 201110223861.2 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102375152A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·约瑟夫·叶辛;亚历克斯·库利克;尼古拉·巴图林 | 申请（专利权）人： | 思姆菲舍尔科技公司 |
| 主分类号： | G01T1/16 | 分类号： | G01T1/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于测量高能量辐射通量的方法，包括以下步骤：将低电压施加到填充有流体的离子室中的电极，所述流体能够通过流体与高能辐射的相互作用形成离子；测量与由低电压引起的离子电流有关的离子电流信号；确定泄漏电流；确定增益；根据离子电流信号、增益和泄漏电流确定高能量辐射通量的大小；以及输出高能量辐射通量的大小结果。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电压 优化 离子 检测 高能量 辐射 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测量高能量辐射通量的方法，包括以下步骤：将低电压施加到填充有流体的离子室中的电极，所述流体能够通过所述流体与高能辐射的相互作用形成离子；测量与由所述低电压引起的离子电流有关的离子电流信号；确定泄漏电流；确定增益；根据所述离子电流信号、所述增益、和所述泄漏电流确定所述高能量辐射通量的大小；以及输出所述高能量辐射通量的大小的结果。
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