[发明专利]使用低电压优化的离子室检测高能量辐射的方法有效
| 申请号: | 201110223861.2 | 申请日: | 2011-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN102375152A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
| 发明(设计)人: | 亚历山大·约瑟夫·叶辛;亚历克斯·库利克;尼古拉·巴图林 | 申请(专利权)人: | 思姆菲舍尔科技公司 |
| 主分类号: | G01T1/16 | 分类号: | G01T1/16 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 电压 优化 离子 检测 高能量 辐射 方法 | ||
1.一种用于测量高能量辐射通量的方法,包括以下步骤:
将低电压施加到填充有流体的离子室中的电极,所述流体能够通过所述流体与高能辐射的相互作用形成离子;
测量与由所述低电压引起的离子电流有关的离子电流信号;
确定泄漏电流;
确定增益;
根据所述离子电流信号、所述增益、和所述泄漏电流确定所述高能量辐射通量的大小;以及
输出所述高能量辐射通量的大小的结果。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述低电压小于1000V。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述低电压在大约5V至大约20V的范围内。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述流体具有通过在施加电压的所述范围内增加电压使由所述高能辐射产生的离子的数量增加的特性。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述流体包括选自以下物质中的至少一种:氦-3、锂-6、铀-233、铀-235、钚-239及其化合物。
6.根据权利要求3所述的方法,其中,所述流体包括三氟化硼和三氟化硼的化合物或复合物。
7.根据权利要求3所述的方法,其中,确定所述泄漏电流的步骤包括:
降低施加到所述离子室中的所述电极的所述低电压;以及
测量由所述泄漏电流引起的所述泄漏离子电流信号。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述增益的步骤包括:
在所述电极上施加足够小的时变电压,使得由于所述时变电压不会出现离子传输,但是所述离子室传导小的校准电流。
9.一种用于测量高能量辐射通量的方法,包括以下步骤:
将低电压施加到填充有流体的离子室中的电极,所述流体能够通过所述流体与高能辐射的相互作用形成离子;
测量与由所述低电压引起的离子电流有关的离子电流信号;
在所述电极上施加为负极性的所述低电压;
测量与由为负极性的所述低电压引起的离子电流有关的负离子电流信号;
根据正离子电流信号和负离子电流信号确定所述高能量辐射通量的大小;
输出所述高能量辐射通量的大小的结果;
在所述电极上施加时变电压,使得所述离子室传导足够小而不会出现离子传输的电流;以及
确定增益。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述低电压小于1000V。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述低电压在大约5V至大约20V的范围内。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述正电压和所述负电压作为周期波形被施加,其中所述波形的振幅和频率中的一个或两个被调节,使得所述离子室中的离子被消耗,所述消耗受到所述离子的重组的控制。
13.根据权利要求9所述的方法,其中,确定所述高能量辐射通量的大小的步骤包括:
获得所述正离子电流信号测量值的绝对值和所述负离子电流信号测量值的绝对值的平均值。
14.根据权利要求9所述的方法,其中,所述流体具有通过在施加电压的所述范围内增加电压使由所述高能量辐射产生的离子的数量增加的特性。
15.根据权利要求9所述的方法,其中,所述流体包括选自以下物质中的至少一种:氦-3、锂-6、铀-233、铀-235、钚-239及其化合物。
16.根据权利要求9所述的方法,其中,所述流体包括三氟化硼和三氟化硼的化合物或复合物。
17.一种用于测量高能量辐射通量的方法,包括以下步骤:
将第一电压施加到填充有流体的离子室中的电极,所述流体能够通过高能量辐射形成带电离子;
测量与由所述第一电压引起的离子电流有关的离子电流信号;
通过将所述第一电压降低到低电压确定最佳电压;
测量与由所述最佳电压引起的离子电流有关的最佳离子电流信号;
根据所述最佳离子电流信号、增益和泄漏电流确定所述高能量辐射通量的大小;以及
输出所述高能量辐射通量的大小的结果。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述低电压小于1000V。
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