[发明专利]防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法有效
| 申请号： | 201110222572.0 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102389974A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 朱惠冲 | 申请（专利权）人： | 朱惠冲 |
| 主分类号： | B22F3/17 | 分类号： | B22F3/17;B22F1/00 |
| 代理公司： | 南通市永通专利事务所 32100 | 代理人： | 葛雷 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法，在制备以钨、钍为主要成分的磁控管阴极材料过程中，添加具有发射功能的铼、镧、钇、铈中的至少一种元素。本发明可以防止再结晶晶粒粗化，碳化后，在结晶晶粒细化，无贯通状晶界滑移线条，提高了产品合格率，降低最终产品在运输销售使用中的故障率。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 再结晶 晶粒 磁控管 阴极 材料 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法，其特征是：在制备以钨、钍为主要成分的磁控管阴极材料过程中，添加具有发射功能的铼、镧、钇、铈中的至少一种元素，其中钨为氧化钨、钍为硝酸钍，上述各组分的重量百分比为：氧化钨 97~98.9%硝酸钍 0.5~2%发射功能元素 0.0001~1%。
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