[发明专利]防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法有效

专利信息
申请号: 201110222572.0 申请日: 2011-08-04
公开(公告)号: CN102389974A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 朱惠冲 申请(专利权)人: 朱惠冲
主分类号: B22F3/17 分类号: B22F3/17;B22F1/00
代理公司: 南通市永通专利事务所 32100 代理人: 葛雷
地址: 226000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 防止 再结晶 晶粒 磁控管 阴极 材料 生产 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种磁控管阴极材料的生产方法。

背景技术

现有的磁控管阴极材料普遍存在经碳化后,出现贯通状晶界滑移的问题,影响工作性能和使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能防止再结晶晶粒粗化,工作性能好的防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法。

本发明的技术解决方案是:

一种防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法,其特征是:在制备以钨、钍为主要成分的磁控管阴极材料过程中,添加具有发射功能的铼、镧、钇、铈中的至少一种元素,其中钨为氧化钨、钍为硝酸钍,上述各组分的重量百分比为:

氧化钨           97~98.9%

硝酸钍           0.5~2%

发射功能元素     0.0001~1%。

所述防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法,依次包括下列步骤:

(1)水溶合:将氧化钨用去离子水浸没,成稠状,氧化钨与去离子水的重量比为1:1;将发射功能元素铼、镧、钇、铈中的一种或多种分别与加去离子水溶解,得发射功能元素液;

(2)混合:将步骤(1)得到的氧化钨稠状无加入搅拌机,边搅拌边加入步骤(1)得到的发射功能元素液,然后再90~110℃烘箱中处理,再粉碎过80目;

(3)还原:在纯氢保护下,进行高温还原处理; 

(4)混粉:将经上述处理得到的粉粒在混料机中均混;

(5)成型:按钨粉成型方法成型,并经压坯、预烧、锤熔处理,得坯条;

(6)锻制:先按比重将上述坯条分成不同比重类型,将比重较低的坯条锻打压缩,使其比重与较高比重的坯条类型相同;具体方法:先按比重将上述坯条分成18.2≥比重≥19.9和17.6≥比重>18.2两种,并将17.6≥比重>18.2的坯条锻打压缩,使其比重为18.2≥比重≥19.9;

(7)将经步骤(6)得到的材料,在加热炉中加热、拉伸,得产品。

步骤(3)进行三次高温还原处理;第一次还原处理时在300~800℃下处理,过筛200目;第二次还原处理是在1000℃下进行,第三次还原处理是在1100℃下进行。

发射功能元素的添加量为0.0001~0.001%。发射功能元素的添加量为0.001~0.01%。

本发明可以防止再结晶晶粒粗化,碳化后,在结晶晶粒细化,无贯通状晶界滑移线条,提高了产品合格率,降低最终产品在运输销售使用中的故障率。

下面结合实施例本发明作进一步说明。

具体实施方式

一种防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法,在制备以钨、钍为主要成分的磁控管阴极材料过程中,添加具有发射功能的铼、镧、钇、铈中的至少一种元素,其中钨为氧化钨、钍为硝酸钍,上述各组分的重量百分比为:

氧化钨           97~98.9%(例97%、98%、98.9%)

硝酸钍           0.5~2%(例0.5%、1%、2%)

发射功能元素     0.0001~1%(例0.0001%、0.001%、0.01%、0.1%、1%)。

上述各组分之和为100%。

具体步骤依次如下:

(1)水溶合:将氧化钨用去离子水浸没,成稠状,氧化钨与去离子水的重量比为1:1;将发射功能元素铼、镧、钇、铈中的一种或多种分别与加去离子水溶解,得发射功能元素液;

(2)混合:将步骤(1)得到的氧化钨稠状无加入搅拌机,边搅拌边加入步骤(1)得到的发射功能元素液,然后再90~110℃烘箱中处理,再粉碎过80目;

(3)还原:在纯氢保护下,进行高温还原处理; 经还原处理后的粉粒平均2.6~3μm;

(4)混粉:将经上述处理得到的粉粒在混料机中均混;

(5)成型:按钨粉成型方法成型,并经压坯、预烧、锤熔处理,得坯条;

(6)锻制:先按比重将上述坯条分成18.2≥比重≥19.9和17.6≥比重>18.2两种,并将17.6≥比重>18.2的坯条锻打压缩,使其比重为18.2≥比重≥19.9;

(7)将经步骤(6)得到的材料,在加热炉中加热、拉伸,得产品。

步骤(3)进行三次高温还原处理;第一次还原处理时在300~800℃下处理,过筛200目;第二次还原处理是在1000℃下进行,第三次还原处理是在1100℃下进行。

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