[发明专利]防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法有效
申请号: | 201110222572.0 | 申请日: | 2011-08-04 |
公开(公告)号: | CN102389974A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 朱惠冲 | 申请(专利权)人: | 朱惠冲 |
主分类号: | B22F3/17 | 分类号: | B22F3/17;B22F1/00 |
代理公司: | 南通市永通专利事务所 32100 | 代理人: | 葛雷 |
地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 再结晶 晶粒 磁控管 阴极 材料 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种磁控管阴极材料的生产方法。
背景技术
现有的磁控管阴极材料普遍存在经碳化后,出现贯通状晶界滑移的问题,影响工作性能和使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能防止再结晶晶粒粗化,工作性能好的防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法。
本发明的技术解决方案是:
一种防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法,其特征是:在制备以钨、钍为主要成分的磁控管阴极材料过程中,添加具有发射功能的铼、镧、钇、铈中的至少一种元素,其中钨为氧化钨、钍为硝酸钍,上述各组分的重量百分比为:
氧化钨 97~98.9%
硝酸钍 0.5~2%
发射功能元素 0.0001~1%。
所述防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法,依次包括下列步骤:
(1)水溶合:将氧化钨用去离子水浸没,成稠状,氧化钨与去离子水的重量比为1:1;将发射功能元素铼、镧、钇、铈中的一种或多种分别与加去离子水溶解,得发射功能元素液;
(2)混合:将步骤(1)得到的氧化钨稠状无加入搅拌机,边搅拌边加入步骤(1)得到的发射功能元素液,然后再90~110℃烘箱中处理,再粉碎过80目;
(3)还原:在纯氢保护下,进行高温还原处理;
(4)混粉:将经上述处理得到的粉粒在混料机中均混;
(5)成型:按钨粉成型方法成型,并经压坯、预烧、锤熔处理,得坯条;
(6)锻制:先按比重将上述坯条分成不同比重类型,将比重较低的坯条锻打压缩,使其比重与较高比重的坯条类型相同;具体方法:先按比重将上述坯条分成18.2≥比重≥19.9和17.6≥比重>18.2两种,并将17.6≥比重>18.2的坯条锻打压缩,使其比重为18.2≥比重≥19.9;
(7)将经步骤(6)得到的材料,在加热炉中加热、拉伸,得产品。
步骤(3)进行三次高温还原处理;第一次还原处理时在300~800℃下处理,过筛200目;第二次还原处理是在1000℃下进行,第三次还原处理是在1100℃下进行。
发射功能元素的添加量为0.0001~0.001%。发射功能元素的添加量为0.001~0.01%。
本发明可以防止再结晶晶粒粗化,碳化后,在结晶晶粒细化,无贯通状晶界滑移线条,提高了产品合格率,降低最终产品在运输销售使用中的故障率。
下面结合实施例本发明作进一步说明。
具体实施方式
一种防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法,在制备以钨、钍为主要成分的磁控管阴极材料过程中,添加具有发射功能的铼、镧、钇、铈中的至少一种元素,其中钨为氧化钨、钍为硝酸钍,上述各组分的重量百分比为:
氧化钨 97~98.9%(例97%、98%、98.9%)
硝酸钍 0.5~2%(例0.5%、1%、2%)
发射功能元素 0.0001~1%(例0.0001%、0.001%、0.01%、0.1%、1%)。
上述各组分之和为100%。
具体步骤依次如下:
(1)水溶合:将氧化钨用去离子水浸没,成稠状,氧化钨与去离子水的重量比为1:1;将发射功能元素铼、镧、钇、铈中的一种或多种分别与加去离子水溶解,得发射功能元素液;
(2)混合:将步骤(1)得到的氧化钨稠状无加入搅拌机,边搅拌边加入步骤(1)得到的发射功能元素液,然后再90~110℃烘箱中处理,再粉碎过80目;
(3)还原:在纯氢保护下,进行高温还原处理; 经还原处理后的粉粒平均2.6~3μm;
(4)混粉:将经上述处理得到的粉粒在混料机中均混;
(5)成型:按钨粉成型方法成型,并经压坯、预烧、锤熔处理,得坯条;
(6)锻制:先按比重将上述坯条分成18.2≥比重≥19.9和17.6≥比重>18.2两种,并将17.6≥比重>18.2的坯条锻打压缩,使其比重为18.2≥比重≥19.9;
(7)将经步骤(6)得到的材料,在加热炉中加热、拉伸,得产品。
步骤(3)进行三次高温还原处理;第一次还原处理时在300~800℃下处理,过筛200目;第二次还原处理是在1000℃下进行,第三次还原处理是在1100℃下进行。
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