[发明专利]显示面板及其制作方法有效
| 申请号： | 201110220081.2 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102903674A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 丁景隆;周政旭;张荣芳 | 申请（专利权）人： | 奇美电子股份有限公司;群康科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种显示面板的制作方法，包括：提供一基板，包括一有源区和一像素区；形成一第一金属层，于基板上；形成一栅极介电层于第一金属层上；形成一氧化物半导体层于有源区和像素区上方的栅极介电层上；对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤，使其具备导电性，其中有源区上的半导体层用作一有源层，像素区上方的处理过的氧化物半导体层用作一像素电极；及形成一第二金属层，连接有源层和像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种显示面板的制作方法，包括：提供一基板，包括一有源区和一像素区；形成一第一金属层于该基板上；形成一栅极介电层于该第一金属层上；形成一氧化物半导体层于该有源区和像素区上方的栅极介电层上；形成一第二金属层，连接该有源层和该像素电极；沉积一保护层，暴露该基板的像素区上方的氧化物半导体层；及对该像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤，使其具备导电性，其中该有源区上的半导体层是用作一有源层，该像素区上方的处理过的氧化物半导体层是用作一像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
