[发明专利]显示面板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种显示装置，特别是有关于一种显示装置的显示面板。

背景技术

氧化物半导体近年已被广泛研究，且已有应用于显示器相关产品。目前最常被提出的氧化物半导体材料以铟镓锌氧化物(IGZ0)为主流，文献亦有其他基于离子键结的氧化物半导体发表，以有别于利用共价键结的硅基半导体。由于此种材料来源为稀有金属，仅用于有源层的成本极高，需要新颖的制程方法和结构，增加氧化物半导体的应用面，以降低成本。

发明内容

本发明提供一种显示面板的制作方法，包括：提供一基板，包括一有源区和一像素区；形成一第一金属层于基板上；形成一栅极介电层于第一金属层上；形成一氧化物半导体层于有源区和像素区上方的栅极介电层上；对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤，使其具备导电性，其中有源区上的半导体层用作一有源层，像素区上方的处理过的氧化物半导体层用作一像素电极；及形成一第二金属层，连接有源层和像素电极；沉积一保护层，暴露基板的像素区上方的氧化物半导体层；及对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤，使其具备导电性，其中有源区上的半导体层用作一有源层，像素区上方的处理过的氧化物半导体层用作一像素电极。

在本发明一实施例中，基板更包括一周边区，且第二金属层在周边区，经由一第一开口连接第一金属层。

在本发明一实施例中，对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤为一等离子处理步骤。

在本发明一实施例中，在形成第二金属层之前，尚包括形成一蚀刻停止层于有源区上方的氧化物半导体层上，其中蚀刻停止层包括开口。

在本发明一实施例中，对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤包括：沉积一保护层于基板的有源区上方的第二金属层、蚀刻停止层和栅极介电层上，暴露基板的像素区上方的氧化物半导体层；及进行一等离子处理步骤。

在本发明一实施例中，在形成第二金属层之前，尚包括形成一蚀刻停止层于有源区、像素区和周边区上方的基板上方，其中蚀刻停止层于有源区包括第一开口，于像素区包括第二开口，于周边区包括第三开口。

在本发明一实施例中，对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤包括：形成一保护层于有源区和周边区的第二金属层上，暴露出像素区的氧化物半导体层；及进行一等离子处理步骤。

在本发明一实施例中，对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤包括：形成一光阻层，于氧化物半导体层和栅极介电层上；使用一半透过型光罩(half-tone mask)，进行一曝光和显影制程，使得光阻层在有源区的厚度最厚，像素区上方的光阻层厚度次的，欲移除氧化物半导体层的区域则无光阻层；以图案化的光阻层作为掩模，进行一蚀刻制程，图案化氧化物半导体层；进行一光阻灰化制程，使得像素区上方的光阻层被移除，而有源区上方的光阻层仍保留部分厚度；及进行一等离子处理步骤。

在本发明一实施例中，还包括形成一蚀刻停止层于有源区、像素区和周边区的基板上方；形成一光阻层于蚀刻停止层上；进行一光刻步骤，图案化光阻层，使光阻层于有源区上包括第一开口，于像素区上包括第二开口，于周边区上包括第三开口；以光阻层为掩模，对蚀刻停止层进行第一蚀刻步骤，将光阻层的第一开口、第二开口、第三开口的图案下转移；及进行一第二蚀刻步骤，以蚀刻停止层为掩模向下蚀刻，蚀刻步骤对氧化物半导体层的蚀刻速率较低，但对栅极介电层的蚀刻速率较高，使此步骤进一步蚀刻周边区的栅极介电层，形成一第三开口，暴露第一金属层。

在本发明一实施例中，等离子处理步骤为氢等离子处理、还原性气氛处理或直接等离子轰击，氧化物半导体层为具离子键结的氧化物半导体，如铟镓锌氧化物(InGaZnO_x)。

本发明提供一种显示面板，包括：一基板，包括一有源区和一像素区；一第一金属层，位于基板上；一栅极介电层，位于第一金属层上；一氧化物半导体层，位于有源区和像素区上方的栅极介电层上，其中像素区的氧化物半导体层具备导电性，有源区上的半导体层用作一有源层，像素区上方的氧化物半导体层用作一像素电极；及一第二金属层，连接有源层和像素电极。

在本发明一实施例中，还包括一保护层，位于该第二金属层上，该氧化物半导体层为具离子键结的氧化物半导体，如铟镓锌氧化物(InGaZnO_x)。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1A～1D显示本发明一实施例显示面板显示面板的制造方法中间步骤的剖面图。