[发明专利]一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列

摘要

本发明涉及一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列。本发明通过采用自下而上依次为衬底、电介质层、多晶硅或多晶硅锗层的结构，提供了低成本的一次性可编程存储单元及其制造方法，该存储单元包括电容器和MOS晶体管。电容器包括：由形成在半导体衬底中的掺杂区域或者形成在绝缘衬底上的导电材料层形成的第一电极、所述电介质层和由第一多晶硅或多晶硅锗层形成的第二电极。MOS晶体管的有源层位于与所述第一电介质层采用相同的工艺同时形成在所述半导体衬底上或绝缘衬底上的第二电介质层上，并且所述有源层由与所述第一多晶硅或多晶硅锗层采用相同的工艺同时形成的第二多晶硅或多晶硅锗层形成。

主权项

一种一次性可编程存储单元，包括：包括第一电极、位于第一电极上的第一电介质层和位于所述第一电介质层上的第二电极的电容器，该第一电极由形成在半导体衬底中的掺杂区域或者形成在绝缘衬底上的导电材料层形成，所述第二电极由第一多晶硅或多晶硅锗层形成； MOS晶体管，包括有源层和位于该有源层上的栅极电介质层和栅极导体，该MOS晶体管的沟道区位于所述栅极电介质层下方的所述有源层中且源区和漏区分别位于所述沟道区两侧的所述有源层中，所述有源层位于与所述第一电介质层采用相同的工艺同时形成在所述半导体衬底上或绝缘衬底上的第二电介质层上，并且所述有源层由与所述第一多晶硅或多晶硅锗层采用相同的工艺同时形成的第二多晶硅或多晶硅锗层形成；以及形成在所述电容器和所述MOS晶体管上的层间绝缘层，所述电容器的第二电极与所述MOS晶体管的漏区通过形成在所述层间绝缘层中的导电通路和形成在所述层间绝缘层上的导电互连电连接。