[发明专利]一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构

摘要

本发明涉及光伏电池制造技术领域，特别是一种一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构，以P型直拉单晶硅为基体，在P型背面场上制作SiO2薄膜，SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒的掩膜，在制绒完成后进行磷源扩散，在正面制备P-N结，SiO2薄膜和SiNx薄膜在磷源扩散后并不会完全去除，保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜；或者以N型直拉单晶硅为基体，在N型背面场上制作SiO2薄膜，SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒和硼源扩散的掩膜，磷源扩散后并不会完全去除，保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜。本发明的有益效果是：与现有工艺方法相比，工艺过程简单，容易控制，成本低，光电转换效率高。

主权项

一种一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法，其特征是：以P型直拉单晶硅为基体，背面通过硼扩散制备P型背面场，在P型背面场上制作SiO2薄膜，SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒的掩膜，在制绒完成后进行磷源扩散，在正面制备P‑N结，SiO2薄膜在磷源扩散后并不会完全去除，保留10‑150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜。