[发明专利]一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构

权利要求书

1.一种一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法，其特征是：以P型直拉单晶硅为基体，背面通过硼扩散制备P型背面场，在P型背面场上制作SiO2薄膜，SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒的掩膜，在制绒完成后进行磷源扩散，在正面制备P-N结，SiO2薄膜在磷源扩散后并不会完全去除，保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜。

2.根据权利要求1所述的一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法，其特征是：在SiO2薄膜上再制作SiNx薄膜，SiO2薄膜和SiNx薄膜共同作为正面碱溶液制绒和磷源扩散的掩膜，SiO2薄膜和SiNx薄膜在磷源扩散后并不会完全去除，保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜。

3.根据权利要求1或2所述的一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法，其特征是：

具有如下步骤：

a)以P型直拉单晶硅为基体，硼扩散源制备P型背面场，方块电阻为20-150ohm/Sq；

b)腐蚀性酸或碱溶液或激光或腐蚀性浆料刻蚀掉正面的P+扩散层；

c)HF酸去BSG；

d)热氧化法生长SiO2薄膜，或直接通过CVD方式单面沉积SiO2薄膜，SiO2薄膜厚度为100-400nm；

e)在背面SiO2薄膜表面再沉积50-100nm的SiNx薄膜，并高温烧结使其致密化；

f)当d步骤使用热氧化法生长SiO2薄膜时，用腐蚀性酸或碱腐蚀液或激光或腐蚀性浆料刻蚀正面的SiO2薄膜，清洗刻蚀反应物；

g)用SiO2薄膜和SiNx薄膜作为掩膜，用碱溶液做单面制绒；

h)用SiO2薄膜和SiNx薄膜作为掩膜，磷扩散源制备P-N结，方块电阻为40-150ohm/Sq；

i)等离子体刻蚀去除边缘P-N结；

j)HF酸清洗去除PSG，SiNx薄膜及部分SiO2薄膜，保留30-150nm SiO2薄膜作为背面钝化膜；

k)P-N结面用PECVD方法沉积10-100nm，折射率为1.9-2.5之间的SiNx薄膜；

l)背面场用PECVD沉积30-100nm的折射率为1.9-2.5的SiNx薄膜；

m)制作正面、背面电极。

4.根据权利要求3所述的一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法，其特征是：在a步骤中硅片首先经过双面抛光处理，然后在进行硼扩散。

5.一种一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的结构，其特征是：以P型直拉单晶硅为基体，硅片的正面是覆盖有SiNx薄膜(1)的磷扩散制备的N型发射极(2)，背面是硼扩散制备的P型背面场(3)，P型背面场(3)上覆盖有SiO2薄膜(4)，SiO2薄膜(4)上覆盖SiNx薄膜(1)，硅片的正面和背面设置电极。

6.一种一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法，其特征是：以N型直拉单晶硅为基体，背面通过磷扩散制备N型背面场，在N型背面场上制作SiO2薄膜，SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒的掩膜，在制绒完成后进行硼源扩散，在正面制备P-N结，SiO2薄膜在硼源扩散后并不会完全去除，保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜。

7.根据权利要求6所述的一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法，其特征是：在SiO2薄膜上再制作SiNx薄膜，SiO2薄膜和SiNx薄膜共同作为正面碱溶液制绒和硼源扩散的掩膜，SiO2薄膜和SiNx薄膜在硼源扩散后并不会完全去除，保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜。