[发明专利]薄膜晶体管传感器、其制造方法及薄膜晶体管传感器阵列有效
| 申请号： | 201110215219.X | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102347369A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 金武谦;朴昶模 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;王琦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管传感器、其制造方法及薄膜晶体管传感器阵列。根据本发明的方面，提供了一种薄膜晶体管(TFT)传感器，包括：在基板上的底栅电极；在所述底栅电极上的绝缘层；在所述绝缘层上的成环形的有源层，所述有源层包括由带电体产生的电流所流过的沟道；在所述有源层上的蚀刻阻止层，所述蚀刻阻止层包括第一接触孔和第二接触孔；以及掩埋所述第一接触孔和第二接触孔的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极彼此面对地布置在所述蚀刻阻止层上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 传感器 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管传感器，包括：在基板上的底栅电极；在所述底栅电极上的绝缘层；在所述绝缘层上的成环形的有源层，所述有源层包括由带电体产生的电流所流过的沟道；在所述有源层上的蚀刻阻止层，所述蚀刻阻止层包括第一接触孔和第二接触孔；以及掩埋所述第一接触孔和所述第二接触孔的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极彼此面对地布置在所述蚀刻阻止层上。
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