[发明专利]薄膜晶体管传感器、其制造方法及薄膜晶体管传感器阵列

权利要求书

1.一种薄膜晶体管传感器，包括：

在基板上的底栅电极；

在所述底栅电极上的绝缘层；

在所述绝缘层上的成环形的有源层，所述有源层包括由带电体产生的电流所流过的沟道；

在所述有源层上的蚀刻阻止层，所述蚀刻阻止层包括第一接触孔和第二接触孔；以及

掩埋所述第一接触孔和所述第二接触孔的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极彼此面对地布置在所述蚀刻阻止层上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管传感器，其中：

所述有源层具有正方形环或矩形环的形状；并且

所述第一接触孔和所述第二接触孔彼此对角面对地布置在所述有源层的拐角区域上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管传感器，其中所述第一接触孔和所述第二接触孔彼此面对地形成在所述有源层的边缘上。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管传感器，进一步包括：在所述蚀刻阻止层上的第一顶栅电极和第二顶栅电极，所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极与所述源电极和所述漏电极在同一水平面上而不接触所述源电极和所述漏电极，所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极彼此面对。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管传感器，其中在所述沟道中流动的电流的方向通过向所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极施加周期性摆动的电压来控制。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管传感器，其中所述有源层包括在所述有源层的中心处的孔，并且所述沟道被所述孔分成多个子沟道。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管传感器，其中所述带电体的触动方向和触动强度基于流过由所述沟道分成的所述多个子沟道的电流的量来感应。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管传感器，其中所述有源层包括氧化物半导体。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管传感器，其中所述底栅电极包括与所述有源层的边缘对应的第一底栅电极和第二底栅电极，所述第一底栅电极和第二底栅电极彼此分隔开预定的距离并且被布置为彼此面对。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管传感器，其中在所述沟道中流动的电流的方向通过向所述第一底栅电极和第二底栅电极施加周期性摆动的电压来控制。

11.一种薄膜晶体管传感器，包括：

在基板上的底栅电极；

在所述底栅电极上的绝缘层；

在所述绝缘层上的成环形的有源层，所述有源层包括在所述有源层的中心处的用于沟道分离的孔；

在所述有源层上的蚀刻阻止层，所述蚀刻阻止层包括第一接触孔和第二接触孔；以及

在所述蚀刻阻止层上的与所述有源层的边缘区域相对应的电极层。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管传感器，其中：

所述有源层具有包含四个拐角的正方形环或矩形环的形状；

所述第一接触孔和第二接触孔对称布置在所述有源层的四个拐角之中彼此对角面对的两个拐角上；并且

所述电极层包括掩埋所述第一接触孔和所述第二接触孔并对称布置在所述两个拐角上的源电极和漏电极，以及对称布置在剩余两个拐角处而不接触所述源电极和所述漏电极的第一顶栅电极和第二顶栅电极。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管传感器，其中在所述沟道中流动的电流的方向通过向所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极施加周期性摆动的电压来控制。

14.根据权利要求11所述的薄膜晶体管传感器，其中：

所述有源层具有四个边缘；

所述第一接触孔和所述第二接触孔对称布置在所述有源层的四个边缘之中彼此面对的两个边缘上；并且

所述电极层包括掩埋所述第一接触孔和所述第二接触孔并对称布置在所述两个边缘上的源电极和漏电极，以及对称布置在剩余两个边缘上而不接触所述源电极和所述漏电极的第一顶栅电极和第二顶栅电极。

15.根据权利要求11所述的薄膜晶体管传感器，其中所述有源层包括氧化物半导体。

16.根据权利要求15所述的薄膜晶体管传感器，其中所述有源层包括从铟、镓、锌、锡、锑、锗、铪、铝和砷的组中选择的至少一种材料。