[发明专利]一种非晶薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110213610.6 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102290443A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 姚建可;张盛东 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L29/22 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistor，MOTFT)的制备工艺。首先，采用最优O含量的有源层来提高MOTFT的EBS稳定性。其次，采用掺Mg有源层来提高MOTFT的UV光稳定性。最后，采用富In2O3或纯ZnO有源层来提高MOTFT的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MOTFT，其特征在于：采用O含量优化的有源层。
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