[发明专利]一种非晶薄膜晶体管及其制备方法有效

申请号：	201110213610.6	申请日：	2011-07-28
公开（公告）号：	CN102290443A	公开（公告）日：	2011-12-21
发明（设计）人：	姚建可;张盛东	申请（专利权）人：	北京大学深圳研究生院
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/12;H01L29/22
代理公司：	深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281	代理人：	郭燕
地址：	518055 广东省***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种薄膜晶体管及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种MOTFT，其特征在于：采用O含量优化的有源层。

2.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述有源层采用Mg掺杂。

3.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述有源层为ZnO。

4.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述有源层为掺Ga或Mg的In₂O₃。

5.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述栅介质为非晶态结构的栅介质。

6.一种MOTFT的制备方法，包括制作栅极、制作栅介质、制作有源层、制作源漏极、制作保护层、退火，其特征在于：所述制作有源层的步骤为：用磁控溅射(Magnetic sputtering，MS)制备，制备过程不充O₂气或从小到大增加O₂气流量，当TFT的EBS稳定性较佳时，即为找到最佳工艺点，持续使用该最佳工艺条件制备有源层。

7.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：

所述制作有源层的步骤为：用MS工艺制备InMgZnO_x，靶材成份为In₂O₃∶MgO∶ZnO＝45∶30∶25wt％或In₂O₃∶MgO∶ZnO＝60∶15∶25wt％。

8.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：

所述制作有源层的步骤为：用MS工艺制备ZnO，基底温度T_S～350℃，靶材为金属Zn靶；或者用脉冲激光沉积(Pulsed laser deposition，PLD)工艺制备ZnO，制备条件为：T_S～600℃，Zn靶，氧分压～10^-3Pa。

9.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：

所述制作有源层的步骤为：用MS工艺制备，靶材成份为In₂O₃∶Ga₂O₃＝70∶30mol％，In₂O₃∶MgO＝75∶25wt％或90∶10wt％。

10.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：

所述制作栅极的步骤为：在玻璃基底上制备透明导电膜薄膜，湿法刻蚀形成栅极；

所述制作栅介质的步骤为：用MS工艺制备栅介质，以a-Si(O，，N)或Ta₂O₅为靶材；

所述制作源、漏极的步骤为：在半导体岛上制备透明导电膜薄膜，湿法刻蚀形成源、漏电极；

所述制作保护层的步骤包括：在所述制备有源层工艺基础上进一步掺N形成保护层；

所述退火的步骤包括：将所述TFT在N₂气氛中350℃退火1小时。