[发明专利]具有氮化镓层的多层结构基板及其制法无效

专利信息
申请号: 201110212956.4 申请日: 2011-07-26
公开(公告)号: CN102456548A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 张翼;萧佑霖;吕荣淇 申请(专利权)人: 财团法人交大思源基金会
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L29/06
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种具有氮化镓层的多层结构基板及其制法,先在衬底上形成具有多个开孔的网状层,并于该开孔内的衬底上依序形成缓冲层、三层不同铝浓度的氮化铝镓层与氮化镓层。本发明的三层不同铝浓度的氮化铝镓层能有效释放应力、减少氮化镓层表面裂痕并控制内部缺陷,因此可形成较大面积、较大厚度、无裂痕且较高质量的氮化镓层,进而有利于高效能电子元件的制作。本发明进一步提供一种具有氮化镓层的多层结构基板。
搜索关键词: 具有 氮化 多层 结构 及其 制法
【主权项】:
一种具有氮化镓层的多层结构基板的制法,包括:提供一衬底;在所述衬底上形成网状层,所述网状层具有多个外露所述衬底的开孔;在所述开孔内的衬底上形成缓冲层,所述缓冲层由多个氮化物层构成;在所述缓冲层上依序形成三层不同铝浓度的氮化铝镓层,其中,底层氮化铝镓层的铝浓度大于中间层氮化铝镓层的铝浓度,所述中间层氮化铝镓层的铝浓度大于上层氮化铝镓层的铝浓度,且所述中间层氮化铝镓层在形成过程中随厚度增加而逐渐减少铝的比例;以及在所述上层氮化铝镓层上形成氮化镓层。
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