[发明专利]具有氮化镓层的多层结构基板及其制法无效
申请号: | 201110212956.4 | 申请日: | 2011-07-26 |
公开(公告)号: | CN102456548A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 张翼;萧佑霖;吕荣淇 | 申请(专利权)人: | 财团法人交大思源基金会 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L29/06 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种具有氮化镓层的多层结构基板及其制法,先在衬底上形成具有多个开孔的网状层,并于该开孔内的衬底上依序形成缓冲层、三层不同铝浓度的氮化铝镓层与氮化镓层。本发明的三层不同铝浓度的氮化铝镓层能有效释放应力、减少氮化镓层表面裂痕并控制内部缺陷,因此可形成较大面积、较大厚度、无裂痕且较高质量的氮化镓层,进而有利于高效能电子元件的制作。本发明进一步提供一种具有氮化镓层的多层结构基板。 | ||
搜索关键词: | 具有 氮化 多层 结构 及其 制法 | ||
【主权项】:
一种具有氮化镓层的多层结构基板的制法,包括:提供一衬底;在所述衬底上形成网状层,所述网状层具有多个外露所述衬底的开孔;在所述开孔内的衬底上形成缓冲层,所述缓冲层由多个氮化物层构成;在所述缓冲层上依序形成三层不同铝浓度的氮化铝镓层,其中,底层氮化铝镓层的铝浓度大于中间层氮化铝镓层的铝浓度,所述中间层氮化铝镓层的铝浓度大于上层氮化铝镓层的铝浓度,且所述中间层氮化铝镓层在形成过程中随厚度增加而逐渐减少铝的比例;以及在所述上层氮化铝镓层上形成氮化镓层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造