[发明专利]具有氮化镓层的多层结构基板及其制法

权利要求书

1.一种具有氮化镓层的多层结构基板的制法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成网状层，所述网状层具有多个外露所述衬底的开孔；

在所述开孔内的衬底上形成缓冲层，所述缓冲层由多个氮化物层构成；

在所述缓冲层上依序形成三层不同铝浓度的氮化铝镓层，其中，底层氮化铝镓层的铝浓度大于中间层氮化铝镓层的铝浓度，所述中间层氮化铝镓层的铝浓度大于上层氮化铝镓层的铝浓度，且所述中间层氮化铝镓层在形成过程中随厚度增加而逐渐减少铝的比例；以及

在所述上层氮化铝镓层上形成氮化镓层。

2.根据权利要求1所述的具有氮化镓层的多层结构基板的制法，其中，所述衬底的材质为硅、蓝宝石、氮化镓、氧化锌或碳化硅，且所述网状层的材质为氮化硅。

3.根据权利要求2所述的具有氮化镓层的多层结构基板的制法，其中，形成所述网状层的方法包括：

在所述衬底上形成氮化硅层；

在所述氮化硅层上形成网状阻层；

去除未被所述网状阻层覆盖的所述氮化硅层，以形成所述网状层；以及

去除所述网状阻层。

4.根据权利要求1所述的具有氮化镓层的多层结构基板的制法，进一步包括在所述氮化镓层上形成顶层氮化铝镓层。

5.根据权利要求1所述的具有氮化镓层的多层结构基板的制法，其中，所述缓冲层为高温氮化物层/低温氮化物层/高温氮化物层，而所述高温氮化物层的形成温度为1000℃至1200℃，且所述低温氮化物层的形成温度为700℃至900℃。

6.根据权利要求1所述的具有氮化镓层的多层结构基板的制法，其中，所述氮化物层为氮化铝层、氮化镓层或氮化铝镓层。

7.一种具有氮化镓层的多层结构基板，包括：

衬底；

网状层，设于所述衬底上，所述网状层具有多个外露所述衬底的开孔；

缓冲层，设于所述开孔内的衬底上，所述缓冲层是由多个氮化物层所构成；

依序形成于所述缓冲层上的三层不同铝浓度的氮化铝镓层，其中，底层氮化铝镓层的铝浓度大于中间层的氮化铝镓层的铝浓度，所述中间层氮化铝镓层的铝浓度大于上层的氮化铝镓层的铝浓度，且所述中间层氮化铝镓层的铝浓度是由所述底层向上逐渐递减；以及

氮化镓层，设于所述上层氮化铝镓层上。

8.根据权利要求7所述的具有氮化镓层的多层结构基板，进一步包括顶层氮化铝镓层，设于所述氮化镓层上。

9.根据权利要求7所述的具有氮化镓层的多层结构基板，其中，所述衬底的材质为硅、蓝宝石、氮化镓、氧化锌或碳化硅，且所述网状层的材质为氮化硅，而所述氮化物层为氮化铝层、氮化镓层或氮化铝镓层。

10.根据权利要求7所述的具有氮化镓层的多层结构基板，其中，所述缓冲层为高温氮化物层/低温氮化物层/高温氮化物层，而所述高温氮化物层的形成温度为1000℃至1200℃，且所述低温氮化物层的形成温度为700℃至900℃。