[发明专利]具有DBR型电流阻挡层的LED芯片及其制作方法

摘要

本发明提供一种具有DBR型电流阻挡层的LED芯片及其制作方法，所述制作方法是首先提供一蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层，然后在该发光外延层的P-pad区蚀刻出具有波浪形侧壁及平整底面的凹槽，接着在该凹槽的表面形成介质型DBR以作为电流阻挡层，且使所述电流阻挡层形成为具有波浪形侧壁及平整底面的凹陷结构；然后在发光外延层及凹陷结构上形成透明导电层，并蚀刻所述透明导电层以使外露出该凹陷结构与N区；最后在凹陷结构上制作出P-pad，在N区上制作出N-pad，以此制作出的LED芯片可以解决现有技术中电流阻挡层与高反光电极之间的粘附性弱，易脱落、以及LED芯片的P电极吸光、电流利用率低等问题。

主权项

一种具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层；2)于所述发光外延层上分别定义出P‑pad区及N区，交替使用刻蚀气体和钝化气体将所述P‑pad区蚀刻成具有波浪形侧壁及平整底面的凹槽；3)于所述凹槽的表面蒸镀出一介质型DBR，使其形成顺应该凹槽形状的电流阻挡层，以使所述电流阻挡层形成为具有平整底面及波浪纹侧壁的凹陷结构；4)于所述发光外延层及凹陷结构上形成透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以使所述凹陷结构及N区外露于所述透明导电层；以及5)于所述凹陷结构上制作出P‑pad，以及于所述N区上制作出N‑pad。