[发明专利]具有DBR型电流阻挡层的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：

1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层；

2)于所述发光外延层上分别定义出P-pad区及N区，交替使用刻蚀气体和钝化气体将所述P-pad区蚀刻成具有波浪形侧壁及平整底面的凹槽；

3)于所述凹槽的表面蒸镀出一介质型DBR，使其形成顺应该凹槽形状的电流阻挡层，以使所述电流阻挡层形成为具有平整底面及波浪纹侧壁的凹陷结构；

4)于所述发光外延层及凹陷结构上形成透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以使所述凹陷结构及N区外露于所述透明导电层；以及

5)于所述凹陷结构上制作出P-pad，以及于所述N区上制作出N-pad。

2.根据权利要求1所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于：于所述步骤3)中，所述介质型DBR为至少两种透明绝缘性薄膜交替层叠的组合结构。

3.根据权利要求2所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述透明绝缘性薄膜为TiO₂材料以及SiO₂材料。

4.根据权利要求3所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述交替层叠的组合结构的顶层和底层均为TiO₂材料。

5.根据权利要求1所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于：于所述步骤5)中，所述P-pad的底部接置于所述凹陷结构的平整底面上并与所述波浪形侧壁相咬合。

6.一种具有DBR型电流阻挡层的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片至少包括：

蓝宝石衬底；

发光外延层，形成于所述蓝宝石衬底的上表面，具有P-pad区及N区，且所述P-pad区具有凹槽，且所述凹槽具有平整底面及波浪纹侧壁，所述N区设置有N-pad；

电流阻挡层，形成于所述凹槽的表面上，为一层顺应所述凹槽形状的凹陷结构，且所述凹陷结构具有平整底面及波浪纹侧壁，所述电流阻挡层为介质型DBR，所述凹陷结构上设置有P-pad；以及

透明导电层，形成于所述发光外延层及电流阻挡层上，并外露出所述P-pad及N区。

7.根据权利要求6所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片，其特征在于：所述介质型DBR为至少两种透明绝缘性薄膜交替层叠的组合结构。

8.根据权利要求7所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片，其特征在于：所述透明绝缘性薄膜为TiO₂材料以及SiO₂材料。

9.根据权利要求8所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片，其特征在于：所述交替层叠的组合结构的顶层和底层均为TiO₂材料。

10.根据权利要求6所述的具有DBR型电流阻挡层的LED芯片，其特征在于：所述P-pad的底部接置于所述凹陷结构的平整底面上并与所述波浪形侧壁相咬合。