[发明专利]显示基底及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110208497.2 申请日: 2011-07-25
公开(公告)号: CN102347335A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 朴在佑;李东勋;赵圣行;李禹根;柳慧英;崔永柱 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;薛义丹
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种显示基底及其制造方法。显示基底包括:栅极线,在底基底上沿第一方向延伸;数据线,位于底基底上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸;栅极绝缘层,位于栅极线上;薄膜晶体管;以及像素电极。薄膜晶体管包括电连接到栅极线的栅极、氧化物半导体图案以及位于氧化物半导体图案上并且彼此分隔开的源极和漏极。氧化物半导体图案包括包含氧化铟的第一半导体图案以及包含无铟氧化物的第二半导体图案。像素电极电连接到漏极。
搜索关键词: 显示 基底 及其 制造 方法
【主权项】:
一种显示基底,所述显示基底包括:栅极线,在底基底上沿第一方向延伸;数据线,沿与第一方向交叉的第二方向延伸;薄膜晶体管,分别连接到栅极线和数据线,所述薄膜晶体管包括:栅极,电连接到栅极线;栅极绝缘层,覆盖栅极;氧化物半导体图案,设置在栅极绝缘层上,并与栅极叠置,所述氧化物半导体图案包括包含铟的第一氧化物半导体图案以及不包含铟的第二氧化物半导体图案;源极和漏极,位于氧化物半导体图案上并彼此分隔开,其中,第二氧化物半导体图案位于第一氧化物半导体图案与源极之间以及第一氧化物半导体图案和漏极之间;像素电极,电连接到漏极。
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