[发明专利]显示基底及其制造方法

权利要求书

1.一种显示基底，所述显示基底包括：

栅极线，在底基底上沿第一方向延伸；

数据线，沿与第一方向交叉的第二方向延伸；

薄膜晶体管，分别连接到栅极线和数据线，所述薄膜晶体管包括：栅极，电连接到栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极；氧化物半导体图案，设置在栅极绝缘层上，并与栅极叠置，所述氧化物半导体图案包括包含铟的第一氧化物半导体图案以及不包含铟的第二氧化物半导体图案；源极和漏极，位于氧化物半导体图案上并彼此分隔开，其中，第二氧化物半导体图案位于第一氧化物半导体图案与源极之间以及第一氧化物半导体图案和漏极之间；

像素电极，电连接到漏极。

2.如权利要求1所述的显示基底，其中，第二氧化物半导体图案包含锌、锡和镓中的至少一种。

3.如权利要求2所述的显示基底，其中，第二氧化物半导体图案包含锌以及从由硼、铝、铊、锡、铪、氟、氯、溴、碘、砹和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

4.如权利要求2所述的显示基底，其中，第二氧化物半导体图案包含锡以及从由锑、氟和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

5.如权利要求2所述的显示基底，其中，第二氧化物半导体图案包含氧化镓锌。

6.如权利要求2所述的显示基底，其中，第二氧化物半导体图案的无铟氧化物的载流子浓度在10¹⁷个/cm³和10²¹个/cm³之间。

7.如权利要求1所述的显示基底，其中，栅极绝缘层包括：

第一绝缘层，位于底基底和栅极上，并且包含氮化硅；

第二绝缘层，位于第一绝缘层上，并且包含氧化硅。

8.如权利要求1所述的显示基底，其中，源极和漏极包含钛。

9.如权利要求8所述的显示基底，其中，源极和漏极均包括：

第一金属层，包含钛；

第二金属层，包含铜，并且位于第一金属层上；

第三金属层，包含铜-锰合金或铜-锰-铝合金，并且位于第二金属层上。

10.如权利要求1所述的显示基底，

其中，第二氧化物半导体图案包括第一图案以及与第一图案分隔开的第二图案，

所述显示基底还包括绝缘图案，绝缘图案位于第二氧化物半导体图案的第一图案和第二图案之间，并使第一图案和第二图案彼此电绝缘。

11.如权利要求1所述的显示基底，所述显示基底还包括钝化层，所述钝化层包含氧化硅并且位于底基底、源极和漏极上。

12.一种制造显示基底的方法，所述方法包括以下步骤：

在底基底上形成包括栅极线和栅极的栅极图案；

在栅极图案上顺序地形成栅极绝缘层、包含铟的第一氧化物半导体层、不包含铟的第二氧化物半导体层以及源极金属层；

在源极金属层上形成光致抗蚀剂图案；

利用光致抗蚀剂图案作为掩模来将源极金属层、第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层图案化，以形成源极图案和氧化物半导体图案，源极图案包括源极和漏极，氧化物半导体图案包括第一氧化物半导体图案和第二氧化物半导体图案，第二氧化物半导体图案形成在第一氧化物半导体图案和源极图案之间；

形成电连接到源极图案的漏极的像素电极。

13.如权利要求12所述的方法，其中，第二氧化物半导体图案包含锌、锡和镓中的至少一种。

14.如权利要求13所述的方法，其中，第二氧化物半导体图案包含锌以及从由硼、铝、铊、锡、铪、氟、氯、溴、碘、砹和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

15.如权利要求13所述的方法，其中，第二氧化物半导体图案包含锡以及从由锑、氟和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

16.如权利要求13所述的方法，其中，第二氧化物半导体图案包含氧化镓锌。

17.如权利要求12所述的方法，其中，不包含铟的第二氧化物半导体层的载流子浓度在10¹⁷个/cm³和10²¹个/cm³之间。