[发明专利]半导体器件的制作方法无效
| 申请号： | 201110208141.9 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102903665A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 彭冰清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;王明静 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层以及镶嵌在所述介电层中的金属互连线；b）在所述金属互连线和所述介电层上形成超薄的氮化硅层；c）在所述氮化硅层上形成盖帽层。本发明通过在金属互连线与盖帽层之间形成超薄的氮化硅层，由于氮化硅层具有良好的密封性，因此可以很好地阻挡潮气和氧气，抑制电迁移现象，延长金属互连线的电迁移寿命，并且还能防止金属原子向周围器件扩散，保证了金属互连线以及整个半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层以及镶嵌在所述介电层中的金属互连线；b）在所述金属互连线和所述介电层上形成超薄的氮化硅层；c）在所述氮化硅层上形成盖帽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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