[发明专利]半导体器件的制作方法无效
| 申请号： | 201110208141.9 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102903665A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 彭冰清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;王明静 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层以及镶嵌在所述介电层中的金属互连线；
b）在所述金属互连线和所述介电层上形成超薄的氮化硅层；
c）在所述氮化硅层上形成盖帽层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述b）步骤之后还包括对所述氮化硅层进行氮化处理，以减少所述氮化硅层中的氢键和悬挂键。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化处理是使用氮源气体的等离子体对所述氮化硅层进行处理的。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮源气体为氨气。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述a）步骤之后还包括执行预清洗工艺。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预清洗工艺使用氨气的等离子体。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度小于等于3nm。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述氮化硅层的气体包括氨气和硅烷。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述盖帽层为富碳的碳氮化硅层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述富碳的碳氮化硅层的气体包括氨气和三甲基硅烷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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