[发明专利]一种双极性薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110206404.2 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102263134A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 姚建可;张盛东 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种双极性薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)，该晶体管的有源层为SnOx基薄膜。通过本发明实施例提出的双极性薄膜晶体管及其制备方法，因为p-TFT和n-TFT的沟道材料的制备工艺和电性能相近，这将大大减小CMOS电路(用SnO或掺Al的SnO2(ATO)p-TFT和SnO2n-TFT)和AM-OLED显示像素电路(用SnO2n-TFT作为开关TFT、SnO或ATO p-TFT作为驱动TFT)的制备工艺复杂性和提高电路性能，因此有很大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双极性薄膜晶体管，其特征在于：该晶体管的有源层为SnOx基薄膜。
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