[发明专利]一种双极性薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种双极性薄膜晶体管，其特征在于：该晶体管的有源层为SnO_x基薄膜。

2.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于：所述SnO_x基薄膜包括SnO、SnO₂或者ATO。

3.一种双极性薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

用无碱玻璃作为基底；

用ITO靶DC磁控溅射制备ITO薄膜，用稀盐酸湿法刻蚀形成栅极；

用SiO₂靶RF磁控溅射制备SiO₂栅介质；

在所述栅介质上制备SnO_x基有源层，用稀盐酸湿法刻蚀形成半导体岛；

在所述半导体岛上制备ITO薄膜，用稀盐酸湿法刻蚀形成源、漏电极；

在所述有源层上制备SiO₂保护层；

最后将所述双极性薄膜晶体管在N₂气氛中350℃退火1小时。

4.如权利要求3所述的双极性薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：

所述制备有源层的步骤包括：

用直流磁控溅射Sn靶制备，

采用将所述Sn靶和用于密封冷却水的Cu板焊接在一起的方法来增加对Sn靶的冷却效果，

制备SnO薄膜的具体工艺参数为：DC溅射功率为300W，基底温度为室温，Ar为溅射气体，用XRD检测薄膜物相，当检测到薄膜均为纯SnO相且结晶完全，即得到SnO有源层的最佳制备工艺，采用该最佳工艺制备SnO有源层。

5.如权利要求4所述的双极性薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述制备有源层的步骤还包括：

适当增加反应气体O₂流量和结合300℃O₂气氛退火，得到SnO₂有源层的最佳制备工艺，采用该最佳工艺制备SnO₂有源层。

6.如权利要求5所述的双极性薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：通过双靶共溅方法在所述SnO₂薄膜中引入Al，其中Al靶和Sn靶均采用直流磁控溅射，Sn靶的DC溅射功率为300W，通过控制Al靶的溅射功率(50W～300W)来获得不同Al含量的SnO₂薄膜，用RBS检测SnO₂薄膜中的Al含量，当Al含量约为8％时，即得到ATO有源层的最佳制备工艺，采用该最佳工艺制备ATO有源层。

7.一种CMOS电路，其特征在于：该CMOS电路包括SnO或ATO的p-TFT和SnO₂的n-TFT。

8.一种AM-OLED像素电路，其特征在于：该AM-OLED像素电路的开关TFT包括SnO₂n-TFT，驱动TFT包括SnO或ATOp-TFT。