[发明专利]半导体器件和半导体器件的驱动方法无效

专利信息
申请号: 201110206194.7 申请日: 2011-07-21
公开(公告)号: CN102347310A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 神田泰夫;甘利浩一;时任俊作;鸟毛裕二;有马孝之;国广恭史 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;H01L21/768
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种半导体器件和该半导体器件的驱动方法。所述半导体器件具有电熔断器元件,所述电熔断器元件包括:第一细丝、连接着所述第一细丝的第二细丝以及串联读出部,所述串联读出部连接着所述第一细丝的一端,所述一端与所述第一细丝连接着所述第二细丝的另一端相反,所述串联读出部读取所述第一细丝和所述第二细丝的串联电阻。本发明能够使用现有的工序而不需要任何额外的加工步骤,提供含有可靠的多值化电熔断器元件的半导体器件。
搜索关键词: 半导体器件 驱动 方法
【主权项】:
一种半导体器件,其包括电熔断器元件,所述电熔断器元件包括:第一细丝;第二细丝,所述第二细丝与所述第一细丝相连接;以及串联读出部,所述串联读出部连接着所述第一细丝的一端,所述第一细丝的所述一端与所述第一细丝的连接着所述第二细丝的另一端相反,所述串联读出部读取所述第一细丝和所述第二细丝的串联电阻。
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