[发明专利]半导体器件和半导体器件的驱动方法无效

专利信息
申请号: 201110206194.7 申请日: 2011-07-21
公开(公告)号: CN102347310A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 神田泰夫;甘利浩一;时任俊作;鸟毛裕二;有马孝之;国广恭史 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;H01L21/768
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其包括电熔断器元件,所述电熔断器元件包括:

第一细丝;

第二细丝,所述第二细丝与所述第一细丝相连接;以及

串联读出部,所述串联读出部连接着所述第一细丝的一端,所述第一细丝的所述一端与所述第一细丝的连接着所述第二细丝的另一端相反,所述串联读出部读取所述第一细丝和所述第二细丝的串联电阻。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

用于选择所述第一细丝的第一选择晶体管与所述第一细丝串联连接,并且

用于选择所述第二细丝的第二选择晶体管与所述第二细丝串联连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,还包括写入部,所述写入部连接着所述第一细丝与所述第二细丝之间的连接处,

所述写入部使得通过所述第一选择晶体管选择的所述第一细丝的电阻或通过所述第二选择晶体管选择的所述第二细丝的电阻独立地变化。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括并联读出部,所述并联读出部连接着所述第一细丝与所述第二细丝之间的所述连接处,

所述并联读出部读取所述第一细丝和所述第二细丝的并联电阻。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述第一细丝的电阻与所述第二细丝的电阻由于下列原因中的至少一种原因而不同:所述第一细丝的宽度与所述第二细丝的宽度不同,所述第一细丝的长度与所述第二细丝的长度不同,设置在所述第一细丝的阴极和阳极处的接触部的数量与设置在所述第二细丝的阴极和阳极处的接触部的数量不同,以及所述第一细丝的所述接触部的位置与所述第二细丝的所述接触部的位置不同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

使所述第一细丝的电阻改变的电气条件与使所述第二细丝的电阻改变的电气条件是不同的。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,

所述第一细丝的电阻与所述第二细丝的电阻是不同的,所述不同是由于下列原因中的至少一种原因:所述第一细丝的宽度与所述第二细丝的宽度不同,所述第一细丝的长度与所述第二细丝的长度不同,设置在所述第一细丝的阴极和阳极处的接触部的数量与设置在所述第二细丝的阴极和阳极处的接触部的数量不同,以及所述第一细丝的所述接触部的位置与所述第二细丝的所述接触部的位置不同。

8.一种半导体器件,其包括电熔断器元件,所述电熔断器元件包括:

第一细丝;

第二细丝,所述第二细丝与所述第一细丝相连接;

第一选择晶体管,所述第一选择晶体管用于选择所述第一细丝且与所述第一细丝串联连接;

第二选择晶体管,所述第二选择晶体管用于选择所述第二细丝且与所述第二细丝串联连接;以及

并联读出部,所述并联读出部连接着所述第一细丝与所述第二细丝之间的连接处,所述并联读出部读取所述第一细丝和所述第二细丝的并联电阻。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,还包括写入部,所述写入部连接着所述第一细丝与所述第二细丝之间的所述连接处,

所述写入部使得通过所述第一选择晶体管选择的所述第一细丝的电阻或通过所述第二选择晶体管选择的所述第二细丝的电阻独立地变化。

10.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,

所述第一细丝的电阻与所述第二细丝的电阻由于下列原因中的至少一种原因而不同:所述第一细丝的宽度与所述第二细丝的宽度不同,所述第一细丝的长度与所述第二细丝的长度不同,设置在所述第一细丝的阴极和阳极处的接触部的数量与设置在所述第二细丝的阴极和阳极处的接触部的数量不同,以及所述第一细丝的所述接触部的位置与所述第二细丝的所述接触部的位置不同。

11.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,

使所述第一细丝的电阻改变的电气条件与使所述第二细丝的电阻改变的电气条件是不同的。

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