[发明专利]铝铜锑相变薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110204069.2 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102347444A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 梁广飞;王阳;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铝铜锑相变薄膜及其制备方法，该相变薄膜的成分为AlxCuySbz，其中：x的取值范围为1-10at%，y的取值范围为在1-40at%，z的取值范围为在60-98at%，该铝铜锑薄膜（3）是利用磁控溅射薄膜制备设备，经过AlCu合金靶和Sb靶共溅在清洁的基片（1）上制备的，所述的铝铜锑薄膜（3）的厚度为5-500nm。本发明铝铜锑相变薄膜具有较快的相变速度和较高的反射率对比度。 | ||
| 搜索关键词： | 铝铜锑 相变 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铝铜锑相变薄膜，其特征在于该相变薄膜的成分为AlxCuySbz ，其中：x的取值范围为1 10 at%，y的取值范围为在1 40 at%，z的取值范围为在60 98 at%，该铝铜锑薄膜（3）是利用磁控溅射薄膜制备设备，经过AlCu合金靶和Sb靶共溅在清洁的基片（1）上制备的，所述的铝铜锑薄膜（3）的厚度为5 500nm。
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