[发明专利]铝铜锑相变薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种铝铜锑相变薄膜，其特征在于该相变薄膜的成分为AlxCuySbz ，其中：x的取值范围为1-10 at%，y的取值范围为在1-40 at%，z的取值范围为在60-98 at%，该铝铜锑薄膜（3）是利用磁控溅射薄膜制备设备，经过AlCu合金靶和Sb靶共溅在清洁的基片（1）上制备的，所述的铝铜锑薄膜（3）的厚度为5-500nm。

2.根据权利要求1所述的铝铜锑相变薄膜，其特征在于所述的薄膜结构包括：

单层结构，即：铝铜锑薄膜（3）直接沉积在基片（1）上面；

三层结构，在基片（1）上先后沉积下介质层（2）、铝铜锑薄膜（3）和上介质层（4）；

根据权利要求2所述铝铜锑相变薄膜，其特征在于所述的基片（1）是厚度为0.05-3mm的Si，或K9玻璃，或聚碳酸酯。

3.根据权利要求2所述铝铜锑相变薄膜，其特征在于所述的下介质层（2）和上介质层（4）为厚度为0-100nm的ZnS-SiO₂或SiN，所述的ZnS-SiO₂中ZnS占80at%，SiO₂占20at%，；

5、一种铝铜锑相变薄膜的制备方法，采用磁控溅射镀膜机制备，其特征在于该方法包括如下步骤：

（a）基片采用干净的聚碳酸酯盘基放入磁控溅射镀膜机的托盘上，后用纯度99.9％的高压氮气吹干；

（b）把裁好的基片用镊子固定在磁控溅射仪的样品托上，然后把样品托夹持在溅射真空腔里的基片座上，把需要溅射的介质靶材ZnS-SiO₂和共溅的Sb靶和Al_xCu_y合金靶放到相应的靶基座上固定好；调节靶材与基片之间的距离，然后关闭真空腔盖开始抽真空，直至腔内真空度优于4×10^-4Pa；

（c）进行下层介质膜层ZnS-SiO₂的溅射工作，采用Ar作为溅射气体，溅射完成后，关闭射频电源，关闭Ar阀门，打开闸板阀抽气以去除腔内杂质；

（d）进行共溅相变材料膜层的溅射工作，AlCuSb相变材料薄膜的成分通过选择AlCu合金靶的化学配比，并固定Sb靶的溅射功率，改变合金靶AlCu的溅射功率的方法来控制；厚度通过改变溅射时间来控制；

采用Ar作为溅射气体，打开Ar阀门开关向腔内充Ar，通过流量计控制Ar的通入量为80sccm，同时调节磁控溅射仪闸板阀至工作气压为0.8Pa，接着打开Al_xCu_y合金靶和Sb靶所对应的直流电源，固定Sb靶材的溅射功率，调节AlCu合金靶材至溅射功率，待功率稳定后，利用计算机程序把装有样品的样品托转移至预制好的共溅靶位上，并采用计算机程序设定溅射时间8min，进行相变层的溅射工作，溅射完成后，关闭直流电源，关闭Ar阀门，打开闸板阀抽气以去除腔内杂质；

（e）然后进行上层介质膜层ZnS-SiO₂的溅射工作；最后利用计算机程序使样品托恢复到原来位置，然后关闭磁控溅射仪，放气，开腔取出铝铜锑相变薄膜制品。