[发明专利]镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110202663.8 | 申请日： | 2011-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102329619A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张科;梁广飞;王阳;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法，该相变材料的组成为Ge2Sb2Te5:0.1~0.3Ni2+。该材料通过磁控溅射方法，将Ge2Sb2Te5靶和NiO靶共溅到K9玻璃基片上得到非晶态样，而后在纳秒激光的作用下得到晶态样。在980nm激光激发下，晶态样有位于1150nm附近的荧光，非晶态样无荧光，分别代表信息存储的两个状态。本发明荧光相变信息存储材料与传统相变材料的制备过程完全兼容，制备方法简单可控。本发明结合传统相变材料的优点和Ni2+在基质不同相态下荧光效应的巨大差异，可以大大增加相变光存储中两态的对比度。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 掺杂 锗锑碲 荧光 相变 信息 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料，其特征在于该材料的组成为Ge2Sb2Te5:0.1～0.3Ni2+，该材料是通过磁控溅射方法将Ge2Sb2Te5靶和NiO靶共溅在K9玻璃基片上的膜层，该膜层的厚度为100～250nm。
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