[发明专利]镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110202663.8 | 申请日： | 2011-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102329619A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张科;梁广飞;王阳;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 掺杂 锗锑碲 荧光 相变 信息 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料，其特征在于该材料的组成为Ge2Sb2Te5:0.1～0.3Ni2+，该材料是通过磁控溅射方法将Ge2Sb2Te5靶和NiO靶共溅在K9玻璃基片上的膜层，该膜层的厚度为100～250nm。
2.权利要求1所述的镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料的制备方法，其特征在于该方法是：利用磁控溅射设备，在真空度为3.0～5.0×10-4Pa的条件下, 在清洁的K9玻璃基片上共溅射NiO和Ge2Sb2Te5，NiO靶和Ge2Sb2Te5靶的溅射功率分别为7w～15w和70w～150w，共溅膜层的厚度为100～250nm。
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