[发明专利]半导体结构与半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110199199.1 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102332448A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 陈桂顺;陈孟伟;刘家助;黄建元;林家庆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾300新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。在一实施例中，半导体结构包含具有组件区与对准区的基材；位于对准区中且具有第一深度D1的第一浅沟渠隔离(STI)特征；位于组件区中且具有第二深度D2的第二STI特征；具有图案化特征的对准标记，其中图案化特征是覆盖在对准区中的第一STI特征之上；以及形成在组件区中的主动区之上的栅极堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包含：一基材，其中该基材具有一组件区以及一对准区，该组件区具有一主动区；一第一浅沟渠隔离特征，设置在该对准区之中，其中该第一浅沟渠隔离特征具有一第一深度；一第二浅沟渠隔离特征，设置在该组件区之中，其中该第二浅沟渠隔离特征具有不同于该第一深度的一第二深度；一对准标记，具有覆盖于该对准区中该第一浅沟渠隔离特征之上的多个图案化特征；以及一栅极堆叠，设置于该组件区中的该主动区之上。
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