[发明专利]TFT基板无效
| 申请号： | 201110198622.6 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102244103A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;矢野公规;田中信夫 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT基板，其能够长时期稳定地工作，并能够防止相互干扰，且通过消减制造工序的工序数，能够大幅地降低制造成本。TFT基板(1)具备玻璃基板(10)；上表面被栅极绝缘膜(30)覆盖，且侧面被层间绝缘膜(50)覆盖而绝缘的栅电极(23)及栅极配线(24)；在栅电极(23)上的栅极绝缘膜(30)上形成的n型氧化物半导体层(40)；在n型氧化物半导体层(40)上，由沟道部(44)隔开而形成的氧化物透明导电体层(60)；保护沟道部(44)的沟道保护层(500)。 | ||
| 搜索关键词： | tft 基板 | ||
【主权项】：
一种TFT基板，其特征在于，具备：基板；形成在该基板的上方，并且上表面被栅极绝缘膜覆盖，且侧面被层间绝缘膜覆盖而绝缘的栅电极及栅极配线；在所述栅电极的上方，且在所述栅极绝缘膜的上方形成的氧化物层；在所述氧化物层的上方，由沟道部隔开而形成的导电体层；形成在所述沟道部的上方，保护所述沟道部的沟道保护层，所述沟道保护层由所述层间绝缘膜构成，在所述层间绝缘膜的一对开口部分别形成有由所述导电体层构成的漏电极及源电极，所述导电体层至少作为像素电极起作用。
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