[发明专利]TFT基板无效

专利信息
申请号: 201110198622.6 申请日: 2007-01-16
公开(公告)号: CN102244103A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 井上一吉;矢野公规;田中信夫 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: tft 基板
【权利要求书】:

1.一种TFT基板,其特征在于,具备:

基板;

形成在该基板的上方,并且上表面被栅极绝缘膜覆盖,且侧面被层间绝缘膜覆盖而绝缘的栅电极及栅极配线;

在所述栅电极的上方,且在所述栅极绝缘膜的上方形成的氧化物层;

在所述氧化物层的上方,由沟道部隔开而形成的导电体层;

形成在所述沟道部的上方,保护所述沟道部的沟道保护层,

所述沟道保护层由所述层间绝缘膜构成,在所述层间绝缘膜的一对开口部分别形成有由所述导电体层构成的漏电极及源电极,所述导电体层至少作为像素电极起作用。

2.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,

所述氧化物层是n型氧化物半导体层。

3.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,

所述导电体层是氧化物导电体层及/或金属层。

4.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,

所述氧化物层形成在与所述沟道部、源电极及漏电极相对应的规定位置。

5.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,

所述基板的上方由保护用绝缘膜覆盖,且所述保护用绝缘膜在与像素电极、源/漏极配线焊盘及栅极配线焊盘相对应的位置具有开口部。

6.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,

所述TFT基板具备栅电极、栅极配线、源极配线、漏极配线、源电极、漏电极或像素电极,且在所述栅电极、栅极配线、源极配线、漏极配线、源电极、漏电极及像素电极的上方形成有辅助导电层。

7.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,

所述TFT基板具备金属层,并具有保护所述金属层的金属层保护用氧化物导电体层。

8.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,

所述TFT基板具备栅电极、栅极配线、源极配线、漏极配线、源电极、漏电极或像素电极,且所述栅电极、栅极配线、源极配线、漏极配线、源电极、漏电极及像素电极由氧化物透明导电体层构成。

9.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,

所述氧化物层及/或导电体层的能隙为3.0eV以上。

10.根据权利要求10所述的TFT基板,其特征在于,

所述TFT基板具备像素电极,所述像素电极的一部分由反射金属层覆盖。

11.根据权利要求10所述的TFT基板,其特征在于,

所述反射金属层至少作为源极配线、漏极配线、源电极及漏电极的至少一种起作用。

12.根据权利要求10所述的TFT基板,其特征在于,

所述反射金属层是由铝、银或金构成的薄膜,或者由包含铝、银或金的合金层构成。

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