[发明专利]用于制造具有玻璃衬底的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110198369.4 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102339757A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | G.莱克纳;M.奥托维茨;K.施雷特林格;C.冯科布林斯基 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/329;H01L23/00;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;李家麟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造具有玻璃衬底的半导体器件的方法。公开一种用于制造半导体器件的方法。提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶片。提供第一玻璃衬底，所述第一玻璃衬底在结合表面处具有空腔和开口中的至少一个。第一玻璃衬底被结合到半导体晶片的第一表面，使得金属焊盘被布置在第一玻璃衬底的相应空腔或开口内。半导体晶片的第二表面被机械加工。在半导体晶片的被机械加工的第二表面上形成至少一个金属化区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 玻璃 衬底 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶片，所述半导体晶片包括布置在第一表面上或在第一表面处的多个掺杂区域和金属焊盘；提供第一玻璃衬底，所述第一玻璃衬底包括结合表面以及在结合表面处的空腔和开口中的至少一个；利用第一玻璃衬底的结合表面将第一玻璃衬底结合到半导体晶片的第一表面，使得一个或多个金属焊盘被布置在第一玻璃衬底的相应空腔或开口内；机械加工半导体晶片的第二表面；在半导体晶片的被机械加工的第二表面上形成至少一个金属化区域；以及切割半导体晶片和第一玻璃衬底以获得分离的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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