[发明专利]用于制造具有玻璃衬底的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

提供包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶片，所述半导体晶片包括布置在第一表面上或在第一表面处的多个掺杂区域和金属焊盘；

提供第一玻璃衬底，所述第一玻璃衬底包括结合表面以及在结合表面处的空腔和开口中的至少一个；

利用第一玻璃衬底的结合表面将第一玻璃衬底结合到半导体晶片的第一表面，使得一个或多个金属焊盘被布置在第一玻璃衬底的相应空腔或开口内；

机械加工半导体晶片的第二表面；

在半导体晶片的被机械加工的第二表面上形成至少一个金属化区域；以及

切割半导体晶片和第一玻璃衬底以获得分离的半导体器件。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括通过阳极结合、粘合剂结合、熔融结合和玻璃粉结合中的至少一个而将第一玻璃衬底结合到半导体晶片的第一表面。

3.根据权利要求1的方法，进一步包括机械加工第一玻璃衬底以暴露空腔。

4.根据权利要求1的方法，进一步包括在形成金属化区域之前在半导体晶片的第二表面上形成金属种子层。

5.根据权利要求1的方法，进一步包括：

提供包括开口的第二玻璃衬底；

将第二玻璃衬底结合到半导体晶片的第二表面；以及

利用金属或金属化合物来填充第二玻璃衬底的开口以形成相应金属化区域。

6.根据权利要求1的方法，进一步包括：

提供包括结合表面和在结合表面处的空腔的第二玻璃衬底；

利用第二玻璃衬底的结合表面将第二玻璃衬底结合到半导体晶片的第二表面；

机械加工第二玻璃衬底以暴露空腔；以及

利用金属或金属化合物来填充第二玻璃衬底的暴露的空腔以形成相应金属化区域。

7.根据权利要求1的方法，其中所述金属化通过电镀、裱糊和印刷中的至少一个形成。

8.根据权利要求1的方法，进一步包括：

在第一玻璃衬底中沿预先限定的折断线提供沟槽；以及

通过沿沟槽折断来切割半导体晶片和第一玻璃衬底。

9.根据权利要求8的方法，进一步包括：

在第二玻璃衬底中沿预先限定的折断线提供沟槽；以及

通过沿沟槽折断来切割半导体晶片、第一玻璃衬底和第二玻璃衬底。

10.根据权利要求1的方法，进一步包括：

在包括至少一个结合焊盘的相应载体衬底上固定分离的半导体器件；

在金属焊盘和载体衬底的相应一个或多个结合焊盘之间形成相应线结合；以及

将固定到相应载体衬底的半导体器件封装在绝缘材料中。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

提供包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶片，所述半导体晶片包括布置在第一表面上或在第一表面处的多个掺杂区域和金属焊盘；

提供第一玻璃衬底，所述第一玻璃衬底包括结合表面以及形成在结合表面处的空腔；

利用第一玻璃衬底的结合表面将第一玻璃衬底结合到半导体晶片的第一表面，使得金属焊盘被布置在第一玻璃衬底的相应空腔内；

提供第二玻璃衬底，所述第二玻璃衬底包括结合表面以及形成在结合表面处的空腔；

利用第二玻璃衬底的结合表面将第二玻璃衬底结合到半导体晶片的第二表面；

机械加工第二玻璃衬底以暴露空腔；

通过电镀、裱糊和印刷中的至少一个而在第二玻璃衬底的暴露的空腔内形成金属化区域；以及

切割半导体晶片、第一玻璃衬底和第二玻璃衬底以获得分离的半导体器件。

12.根据权利要求11的方法，进一步包括在结合第二玻璃衬底之前机械加工半导体晶片的第二表面以减小半导体晶片的厚度。

13.根据权利要求11的方法，进一步包括在结合第二玻璃衬底之后机械加工第一玻璃衬底以暴露空腔。