[发明专利]一种GaN基垂直结构LED芯片结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其包括设有第一Au层（9）的第一器件结构和表面蒸镀第二Au层（11）的支撑衬底（10）；第一金层（9）与第二金层（11）表面完全接触并紧密键合；所述第一器件结构包括GaN基LED外延片；所述p-GaN层（1）上设有ITO层（5）；所述ITO层（5）上依次设有阻挡层（6）、银层（7）、覆盖层（8）以及第一金层（9）。本发明等离子表面处理能够显著降低Au-Au键合温度及压力的要求，缩短键合时间。既适应了Ag不宜高温长时处理的固有特性，也改善了GaN基垂直结构LED的键合质量。采用ITO/阻挡层/Ag/覆盖层/Au结构有助于进一步防止Ag的受热团聚效应。

主权项

一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其特征在于：其包括设有第一Au层(9)的第一器件结构和表面蒸镀第二Au层(11)的支撑衬底(10)；第一金层(9)与第二金层(11)表面完全接触并紧密键合；所述第一器件结构包括GaN基LED外延片，该GaN基LED外延片包括蓝宝石衬底(4)、位于蓝宝石衬底(4)上的n‑GaN层(3)、位于n‑GaN层(3)上的有源层(2)以及位于有源层(2)上的p‑GaN层(1)。所述p‑GaN层(1)上设有ITO层(5)；所述ITO层(5)上依次设有阻挡层(6)、银层(7)、覆盖层(8)以及第一金层(9)。