[发明专利]一种GaN基垂直结构LED芯片结构及其制备方法

权利要求书

1.一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其特征在于：其包括设有第一Au层(9)的第一器件结构和表面蒸镀第二Au层(11)的支撑衬底(10)；第一金层(9)与第二金层(11)表面完全接触并紧密键合；

所述第一器件结构包括GaN基LED外延片，该GaN基LED外延片包括蓝宝石衬底(4)、位于蓝宝石衬底(4)上的n-GaN层(3)、位于n-GaN层(3)上的有源层(2)以及位于有源层(2)上的p-GaN层(1)。

所述p-GaN层(1)上设有ITO层(5)；所述ITO层(5)上依次设有阻挡层(6)、银层(7)、覆盖层(8)以及第一金层(9)。

2.如权利要求1所述的一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其特征在于：所述阻挡层(6)的厚度小于5nm。

3.如权利要求1所述的一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其特征在于：所述覆盖层(8)的材料为镍。

4.如权利要求1所述的一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其特征在于：所述阻挡层(6)的材料为选自镍、钨、铂、铜中的一种。

5.一种GaN基垂直结构LED芯片结构的制备方法，其特征在于：包括制备设有第一Au层(9)的第一器件结构和制备上表面蒸镀第二Au层(11)的支撑衬底；将第一Au层(9)和第二Au层(11)表面完全接触，加压力使之紧密键合；

所述制备第一器件结构包括以下步骤：

1)制备GaN基LED外延片；该GaN基LED外延片包括蓝宝石衬底(4)、位于蓝宝石衬底(4)上的n-GaN层(3)、位于n-GaN层(3)上的有源层(2)以及位于有源层(2)上的p-GaN层(1)；

2)清洗GaN基LED外延片；

3)在所述p-GaN层(1)的上表面蒸镀ITO层(5)，退火获得p-GaN/ITO欧姆接触；

4)O等离子体表面处理ITO层(5)用于清洁ITO层表面，提高ITO层表面的O含量；

5)蒸镀阻挡层/Ag/覆盖层/第一Au层(9)，形成GaN基LED外延片/ITO/阻挡层/Ag/覆盖层/第一Au结构；

6)等离子体表面处理第一Au层(9)；

所述制备上表面蒸镀第二Au层(11)的支撑衬底包括以下步骤：

7)等离子体表面处理第二Au层(11)。