[发明专利]一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201110197606.5 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102351535A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘心宇;胡耀斌;江民红;崔业让;杨华斌;马家峰 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 巢雄辉 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于：该压电陶瓷包含钙钛矿型压电体（K0.5‑xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电/铁磁体Bi(FetMn1‑t)O3，组成通式为（1‑y‑z）（K0.5‑xNa0.5+x）NbO3‑y LiSbO3‑z Bi(FetMn1‑t)O3，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1, 0＜t＜1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110197606.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
