[发明专利]一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201110197606.5 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102351535A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘心宇;胡耀斌;江民红;崔业让;杨华斌;马家峰 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 巢雄辉 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于：该压电陶瓷包含钙钛矿型压电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电/铁磁体Bi(FetMn1-t)O3，组成通式为（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-y LiSbO3-z Bi(FetMn1-t)O3，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1, 0＜t＜1。
2.权利要求1所述低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法，包括配料、湿磨、烘干、煅烧、二次球磨、造粒、成型、烧结、打磨、镀银、极化，其特征是：烧结时以120℃/h的升温速率到600℃保温2h,再以120℃/h的升温速率到830℃保温1h，再以60℃/h升温到1050～1130℃保温1～9h烧结，之后随炉冷却至室温而成。
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