[发明专利]一种利用催化剂定域技术合成图案化单晶氧化钨纳米线阵列的新方法

摘要

本发明公开了一种利用催化剂定域技术合成图案化单晶氧化钨纳米线阵列的新方法，该方法以钨薄膜作为源材料，金属纳米粒子薄膜作为催化剂，包括(a)催化剂薄膜定域合成：即陶瓷模板和衬底材料固定在一起或使用微加工工艺中的曝光技术实现薄膜的图案化，然后在真空镀膜设备中实现催化剂纳米粒子膜的定域生长；(b)化学气相沉积技术：在反应气体的气氛下，在400-800℃的温度将W薄膜放入CVD设备中，经过1～8小时的生长后，打开固定装置或去除光刻胶后，最终形成图案化的氧化钨纳米线阵列。本制备方法不仅可以容易获得不同生长密度的图案化氧化钨纳米线阵列，而且具有反应温度低(＜500℃)，可适合于低熔点衬底生长的优点。

主权项

一种利用催化剂定域技术合成图案化单晶氧化钨纳米线阵列的新方法，其特征在于，以钨薄膜作为源材料，以金属纳米粒子薄膜作为催化剂，包括以下步骤：(a)催化剂薄膜定域合成：首先形成图案化的钨薄膜，再利用薄膜沉积技术在原来图案化的钨薄膜上镀一层图案化的催化剂粒子薄膜；(b)化学气相沉积：在氢气的气氛下，先在400‑600℃下将覆盖有图案化催化剂薄膜的钨膜保温0.5‑1h，然后再在保护性气体的气氛下将其加热到400‑800℃，保温生长1‑8h。