[发明专利]薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管

摘要

本发明提供了薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，通过在薄膜晶体管的数据线表面设置通孔，使薄膜晶体管的源极电极或者漏极电极在形成过程中直接同数据线电学连接，节省了工艺成本。进一步地，薄膜晶体管的源极电极和漏极电极也采用多晶硅材料制备，而非现有技术中的金属材料，简化了工艺步骤，从而进一步节省了工艺成本。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供透明衬底；在所述透明衬底表面形成栅极和数据线；在所述透明衬底表面形成覆盖所述栅极和所述数据线的第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面与所述栅极对应的区域形成非晶半导体层；在所述第一绝缘层表面与所述数据线对应的区域形成通孔；在所述第一绝缘层表面形成覆盖所述非晶半导体层和所述通孔的导电层；将所述导电层与所述栅极对应的部分移除以分割导电层，从而形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极；在所述第一绝缘层表面形成覆盖所述非晶半导体层、通孔以及源极电极和漏极电极的第二绝缘层；以及采用激光照射所述非晶半导体层，以增加非晶半导体层晶格排列的有序度。