[发明专利]薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供透明衬底；

在所述透明衬底表面形成栅极和数据线；

在所述透明衬底表面形成覆盖所述栅极和所述数据线的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层表面与所述栅极对应的区域形成非晶半导体层；

在所述第一绝缘层表面与所述数据线对应的区域形成通孔；

在所述第一绝缘层表面形成覆盖所述非晶半导体层和所述通孔的导电层；

将所述导电层与所述栅极对应的部分移除以分割导电层，从而形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极；

在所述第一绝缘层表面形成覆盖所述非晶半导体层、通孔以及源极电极和漏极电极的第二绝缘层；以及

采用激光照射所述非晶半导体层，以增加非晶半导体层晶格排列的有序度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述非晶半导体层包括堆叠设置的导电类型相同的第一非晶半导体层和第二非晶半导体层，所述第一非晶半导体层与所述第一绝缘层贴合，所述第二非晶半导体层与所述源极电极和漏极电极贴合，所述第二非晶半导体层的电导率高于所述第一非晶半导体层的电导率。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述非晶半导体层采用外延的方法形成，并在外延的过程中通过改变掺杂物质的浓度以形成第一非晶半导体层和第二非晶半导体层。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在分割导电层的步骤中，进一步包括同时移除所述第二非晶半导体层与栅极对应部分的步骤。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在分割所述第二非晶半导体层的步骤中，进一步包括减薄暴露出来的第一非晶半导体层的步骤。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成第二绝缘层的步骤之后，进一步包括除去所述第二绝缘层位于所述源极电极和漏极电极之间部分的步骤。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

透明衬底；

栅极和数据线，所述栅极和数据线设置在所述透明衬底的表面；

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极和所述数据线；

非晶半导体层，所述非晶半导体层设置在所述第一绝缘层表面与所述栅极对应的区域；

通孔，所述通孔设置在所述第一绝缘层表面与所述数据线对应的区域；

源极电极和漏极电极，所述源极电极和漏极电极设置在所述非晶半导体层的两端，源极电极和漏极电极之一通过所述通孔连接至所述数据线；以及

第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层表面，并覆盖所述非晶半导体层、通孔以及源极电极和漏极电极。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶半导体层包括堆叠设置的导电类型相同的第一非晶半导体层和第二非晶半导体层，所述第一非晶半导体层与所述第一绝缘层贴合，所述第二非晶半导体层与所述源极电极和漏极电极贴合，所述第二非晶半导体层的电导率高于所述第一非晶半导体层的电导率，所述源极电极和漏极之间的所述第二非晶半导体层是镂空的。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一非晶半导体层在所述源极电极和漏极之间部分的厚度小于所述第一非晶半导体层其余部分的厚度。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层位于所述源极电极和漏极电极之间部分是镂空的。