[发明专利]一种垂直结构电极氮化镓发光芯片及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件制造领域，为了克服氮化镓发光芯片N型电极与P型电极制作在同一侧时发光面积减少、易导致静电效应及散热不好的缺点，本发明利用激光微孔技术将蓝宝石衬底圆片打出若干个微孔后，再将微孔内填充有电极材料，使其在每个欲切割的单颗芯片上形成一个电极，再通过现有方法进行外延片的制造，最后将制造好的外延片晶圆按照一定的格式切割形成单颗芯片，使每个芯片上都保留有一个导电通道将N型电极透过蓝宝石衬底引出，形成P、N型两个电极的垂直电极结构，从而解决以往以蓝宝石等绝缘材料为衬底制作发光芯片时，无法将电极制作于芯片两侧的问题，本发明制造简单，成本低，提高了发光效率及产品的优良率，改善了芯片的静电防护能力及散热效果。

主权项

一种垂直结构电极氮化镓发光芯片依次主要由P型电极(1)、P型GaN层(2)、发光层(3)、N型GaN层(4)、低温GaN层(5)、蓝宝石衬底(6)和导电通道(7)构成，其特征是：利用激光微孔技术将蓝宝石衬底(6)按照一定的尺寸要求有规则的打出若干个微孔后，再将微孔内填充有电极材料，使其在每个欲切割的单颗芯片上都有一个透过蓝宝石衬底的导电通道(7)，进而形成一个带有若干个微小导电通道的蓝宝石衬底圆片，再通过现有方法进行外延片的制造，从而将N型电极透过蓝宝石衬底引出，形成P、N型两个电极的垂直结构，最后再将外延好的晶圆切割成单颗芯片，形成一个个垂直结构电极的氮化镓发光芯片。