[发明专利]一种垂直结构电极氮化镓发光芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直结构电极氮化镓发光芯片依次主要由P型电极(1)、P型GaN层(2)、发光层(3)、N型GaN层(4)、低温GaN层(5)、蓝宝石衬底(6)和导电通道(7)构成，其特征是：利用激光微孔技术将蓝宝石衬底(6)按照一定的尺寸要求有规则的打出若干个微孔后，再将微孔内填充有电极材料，使其在每个欲切割的单颗芯片上都有一个透过蓝宝石衬底的导电通道(7)，进而形成一个带有若干个微小导电通道的蓝宝石衬底圆片，再通过现有方法进行外延片的制造，从而将N型电极透过蓝宝石衬底引出，形成P、N型两个电极的垂直结构，最后再将外延好的晶圆切割成单颗芯片，形成一个个垂直结构电极的氮化镓发光芯片。

2.根据权利要求1所述的一种垂直结构电极氮化镓发光芯片，其特征是：所述的单颗发光芯片至少有一个或一个以上的导电通道。