[发明专利]P型OTP器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种P型OTP器件，第二个PMOS晶体管的沟道区比第一个PMOS晶体管的沟道区多一个N型的阈值电压注入区，阈值电压注入区用于增加第二个PMOS晶体管的阈值电压的绝对值。本发明还公开了一种P型OTP器件的制作方法，通过增加一掩模版在第二个PMOS晶体管的沟道区域进行N型离子注入形成阈值电压注入区。本发明能增加第二个PMOS晶体管的阈值电压，能使P型OTP器件编程性能得到大幅提高，并能提高编程完之后整个器件的导通电流，增加了器件在编程前后可区分的电流范围；还能减少实现OTP功能的外围电路的面积。

主权项

一种P型OTP器件，由两个PMOS晶体管串联形成的一次性可编程器件，第一个PMOS晶体管作为OTP器件的选通晶体管，第二个PMOS晶体管作为所述OTP器件的存储单元；所述第一个PMOS晶体管的源极和漏极都分别包括形成于N阱中的一P型扩散区和一P型轻掺杂区域，所述第一个PMOS晶体管栅极作为所述OTP器件的字线，所述第一个PMOS晶体管源极作为所述OTP器件的源极；所述第二个PMOS晶体管的栅极为浮空的浮栅，所述第二个PMOS晶体管的源极和漏极都分别包括形成于所述N阱中的一P型扩散区和一P型轻掺杂区域，所述第二个PMOS晶体管的漏极作为所述OTP器件的位线，所述第二个PMOS晶体管的源极与所述PMOS第一个晶体管的漏极共用一个P型扩散区；其特征在于：所述第二个PMOS晶体管的沟道区比所述第一个PMOS晶体管的沟道区多一个N型的阈值电压注入区，该阈值电压注入区用于增加所述第二个PMOS晶体管的阈值电压的绝对值。