[发明专利]凸块制造工艺及其结构有效
| 申请号: | 201110194648.3 | 申请日: | 2011-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN102867758A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
| 发明(设计)人: | 谢庆堂;郭志明 | 申请(专利权)人: | 颀邦科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明有关一种凸块制造工艺及其结构。其中制造工艺包括:提供一基板;形成一含铜金属层于该基板,含铜金属层具有第一区及第二区;形成一光阻层于含铜金属层;图案化光阻层;形成铜凸块且各铜凸块具有一第一顶面;形成一导接层于第一顶面,该导接层具有一第二顶面;移除光阻层;移除第二区,并使第一区形成一凸块下金属层,各凸块下金属层具有一第一外周壁,各铜凸块具有一第二外周壁,导接层具有一第三外周壁;形成一防游离层,防游离层具有一覆盖基板的第一覆盖段、一覆盖第一外周壁、第二外周壁及第三外周壁的第二覆盖段、一第三覆盖段及一移除段是覆盖该第二顶面;形成一介电层于防游离层;图案化该介电层;及移除该移除段以显露该第二顶面。 | ||
| 搜索关键词: | 制造 工艺 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种凸块制造工艺,其特征在于至少包含:提供一基板,该基板是具有一表面及多个设置于该表面的焊垫,各该焊垫是具有一显露面及一环壁;形成一含铜金属层于该基板并覆盖上述焊垫,该含铜金属层是具有多个第一区及多个第二区;形成一光阻层于该含铜金属层;图案化该光阻层以形成多个开口,上述开口是对应上述第一区;形成多个铜凸块于上述开口内,各该铜凸块是覆盖该含铜金属层的各该第一区且各该铜凸块是具有一第一顶面;形成一导接层于上述铜凸块的上述第一顶面,该导接层是具有一第二顶面且该导接层是包含有一镍层及一接合层,该镍层是位于该铜凸块与该接合层之间;移除该光阻层;移除该含铜金属层的上述第二区,并使该含铜金属层的各该第一区形成为一凸块下金属层,其中各该凸块下金属层是具有一第一外周壁,各该铜凸块是具有一第二外周壁,该导接层是具有一第三外周壁,该第三外周壁与该第二外周壁之间是具有一第一间距,该第三外周壁与该第一外周壁之间是具有一第二间距;形成一防游离层于该导接层的该第二顶面、上述凸块下金属层的上述第一外周壁、上述铜凸块的上述第二外周壁、该导接层的该第三外周壁及该基板,该防游离层是具有一第一覆盖段、一第二覆盖段、一第三覆盖段及一移除段,该第一覆盖段是覆盖该基板,该第二覆盖段是覆盖上述凸块下金属层的上述第一外周壁、上述铜凸块的上述第二外周壁及该导接层的该第三外周壁,该第三覆盖段及该移除段是覆盖该导接层的该第二顶面;形成一介电层于该防游离层;图案化该介电层以形成多个显露开口,上述显露开口是显露该防游离层的该移除段;以及移除该防游离层的该移除段以显露该导接层的该第二顶面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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