[发明专利]凸块制造工艺及其结构

权利要求书

1.一种凸块制造工艺，其特征在于至少包含：

提供一基板，该基板是具有一表面及多个设置于该表面的焊垫，各该焊垫是具有一显露面及一环壁；

形成一含铜金属层于该基板并覆盖上述焊垫，该含铜金属层是具有多个第一区及多个第二区；

形成一光阻层于该含铜金属层；

图案化该光阻层以形成多个开口，上述开口是对应上述第一区；

形成多个铜凸块于上述开口内，各该铜凸块是覆盖该含铜金属层的各该第一区且各该铜凸块是具有一第一顶面；

形成一导接层于上述铜凸块的上述第一顶面，该导接层是具有一第二顶面且该导接层是包含有一镍层及一接合层，该镍层是位于该铜凸块与该接合层之间；

移除该光阻层；

移除该含铜金属层的上述第二区，并使该含铜金属层的各该第一区形成为一凸块下金属层，其中各该凸块下金属层是具有一第一外周壁，各该铜凸块是具有一第二外周壁，该导接层是具有一第三外周壁，该第三外周壁与该第二外周壁之间是具有一第一间距，该第三外周壁与该第一外周壁之间是具有一第二间距；

形成一防游离层于该导接层的该第二顶面、上述凸块下金属层的上述第一外周壁、上述铜凸块的上述第二外周壁、该导接层的该第三外周壁及该基板，该防游离层是具有一第一覆盖段、一第二覆盖段、一第三覆盖段及一移除段，该第一覆盖段是覆盖该基板，该第二覆盖段是覆盖上述凸块下金属层的上述第一外周壁、上述铜凸块的上述第二外周壁及该导接层的该第三外周壁，该第三覆盖段及该移除段是覆盖该导接层的该第二顶面；

形成一介电层于该防游离层；

图案化该介电层以形成多个显露开口，上述显露开口是显露该防游离层的该移除段；以及

移除该防游离层的该移除段以显露该导接层的该第二顶面。

2.如权利要求1所述的凸块制造工艺，其特征在于另包含有移除该防游离层的该第三覆盖段的步骤。

3.如权利要求1所述的凸块制造工艺，其特征在于其中该基板是另具有一保护层，该保护层是形成于该表面并覆盖上述焊垫。

4.如权利要求3所述的凸块制造工艺，其特征在于其中该第一覆盖段是覆盖该基板的该保护层。

5.如权利要求1所述的凸块制造工艺，其特征在于其中该第一覆盖段是覆盖该焊垫的该环壁及该基板的该表面。

6.如权利要求1所述的凸块制造工艺，其特征在于其中该第二间距是不小于该第一间距。

7.如权利要求1所述的凸块制造工艺，其特征在于其中该防游离层是选自于氧化物或氮化物其中之一。

8.如权利要求7所述的凸块制造工艺，其特征在于其中该氮化物是可为氮化硅、氮氧化硅或其混合体其中之一，该氧化物是可为二氧化硅、氮氧化硅或其混合体其中之一。

9.如权利要求1所述的凸块制造工艺，其特征在于其中该介电层的材质是选自于聚酰亚胺PI或苯环丁烯BCB。

10.一种凸块结构，其特征在于至少包含：

一基板，其是具有一表面及多个设置于该表面的焊垫，各该焊垫是具有一显露面及一环壁；

多个凸块下金属层，其是形成于上述焊垫上，各该凸块下金属层是具有一第一外周壁；

多个铜凸块，其是形成于上述凸块下金属层上，各该铜凸块是具有一第一顶面及一第二外周壁；

一导接层，其是形成于上述铜凸块的上述第一顶面，该导接层是具有一第二顶面及一第三外周壁，且该导接层是包含有一镍层及一接合层，该镍层是位于该铜凸块与该接合层之间，其中该第三外周壁与该第二外周壁之间是具有一第一间距，该第三外周壁与该第一外周壁之间是具有一第二间距；

一防游离层，其是形成于上述凸块下金属层的上述第一外周壁、上述铜凸块的上述第二外周壁、该导接层的该第三外周壁及该基板，该防游离层是具有一第一覆盖段及一第二覆盖段，该第一覆盖段是覆盖该基板，该第二覆盖段是覆盖上述凸块下金属层的上述第一外周壁、上述铜凸块的上述第二外周壁及该导接层的该第三外周壁；以及

一介电层，其是形成于该防游离层，且该介电层是具有多个显露开口以显露该导接层的该第二顶面。

11.如权利要求10所述的凸块结构，其特征在于其中该防游离层是另具有一第三覆盖段，该第三覆盖段是覆盖该导接层的该第二顶面。