[发明专利]金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110194152.6 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102420258A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;徐强;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02;H01L21/334 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法，其顶部电极位于一覆有隔离氧化层的硅基体之上，底部电极形成于硅基体内，隔离氧化层就是绝缘层；制作方法采用干法回刻，然后形成氧化层，再回填多晶的办法形成衬底内底部极板或者采用离子注入方式在基体的某深度内注入一定剂量的氧原子，让后通过后续处理的办法形成和基体电绝缘的底部电极。本发明金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法将MOS器件区域也作为了半导体电容器的一部分后集成到了电容器电路中，为本领域的制造工程师们寻求增加金属-绝缘体-金属电容器的单位面积的电容值密度的方法提供了新途径。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 mos 电容器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属‑绝缘体‑金属MOS电容器的结构，包括顶部电极、底部电极和介于所述顶部电极和所述底部电极之间的绝缘层，其特征在于，所述顶部电极位于一覆有隔离氧化层的硅基体之上，构成所述MOS器件的栅极，所述底部电极形成在所述MOS器件的阱区内并与所述硅基体电绝缘，所述隔离氧化层就是所述绝缘层。
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