[发明专利]金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110194152.6 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102420258A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;徐强;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02;H01L21/334 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 mos 电容器 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构，包括顶部电极、底部电极和介于所述顶部电极和所述底部电极之间的绝缘层，其特征在于，所述顶部电极位于一覆有隔离氧化层的硅基体之上，构成所述MOS器件的栅极，所述底部电极形成在所述MOS器件的阱区内并与所述硅基体电绝缘，所述隔离氧化层就是所述绝缘层。
2.一种如权利要求1所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构的制作方法，其特征在于，包括：
在内部形成有浅沟槽隔离结构的硅基体所包含的阱区内进行刻蚀，在该阱区内形成凹槽；
在已形成的凹槽内生长一层第一隔离氧化物；
在第一隔离氧化物层上方生长一层第一多晶硅，该第一多晶硅层用于形成底部电极；
继续在硅基体和该第一多晶硅层上方覆盖一层第二隔离氧化物；
在第二隔离氧化物层上覆盖另一层第二多晶硅层，经刻蚀后形成MOS器件的栅极，该第二多晶硅层用于形成顶部电极；
所述第一多晶硅层、所述第二多晶硅层及它们之间的所述第二隔离氧化物层构成电容器。
3.根据权利要求2所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的制作方法，其特征在于，在硅基体所包含的阱区内形成凹槽时，先在其表面涂覆一层光阻胶，然后采用光刻和刻蚀的方式来完成。
4.根据权利要求3所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的制作方法，其特征在于，所述刻蚀方式为干法刻蚀。
5.一种如权利要求1所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构的制作方法，其特征在于，包括：
在内部形成有浅沟槽隔离结构的硅基体的表面进行图形化；
采用离子注入的方式在硅基体所包含的阱区表面下方一段距离处注入一定剂量的氧原子，进行高温热处理后，硅基体所包含的阱区内形成底部电极；
继续在硅基体上方覆盖一层隔离氧化物，形成顶部电极和底部电极间的绝缘层；
在隔离氧化物层上覆盖一多晶硅层，经刻蚀后形成MOS器件的栅极，该多晶硅层用于形成顶部电极。
6.根据权利要求5所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构的制作方法，其特征在于，在硅基体表面进行图形化时，先在其表面涂覆一层光阻胶，然后采用光刻方式来完成。
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